參數(shù)資料
型號： STP6LNC60
廠商： 意法半導體
英文描述： N-CHANNEL 600V - 1ohm - 5.8A TO-220/TO-220FP PowerMesh⑩II MOSFET
中文描述： N溝道600V的- 1ohm - 5.8A TO-220/TO-220FP PowerMesh第二MOSFET的⑩
文件頁數(shù)： 6/9頁
文件大?。?/td> 324K
代理商： STP6LNC60
STP6LNC60/STP6LNC60FP
6/9
Fig. 5:
Test Circuit For Inductive Load Switching
And Diode Recovery Times
Fig. 4:
Gate Charge test Circuit
Fig. 2:
Unclamped Inductive Waveform
Fig. 1:
Unclamped Inductive Load Test Circuit
Fig. 3:
Switching Times Test Circuit For
Resistive Load
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP6LNC60FP N-CHANNEL 600V - 1ohm - 5.8A TO-220/TO-220FP PowerMesh⑩II MOSFET
STP6N50FI ; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes
STP6N50 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STP6NA60FP N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強模式快速功率MOS晶體管)
STP6NK90ZFP N-CHANNEL 900V - 1.56ohm - 5.8A TO-220/TO-220FP/D2PAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STP6LNC60FP 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 600V - 1ohm - 5.8A TO-220/TO-220FP PowerMesh⑩II MOSFET
STP6N120K3 功能描述:MOSFET N-Ch 1200V 1.95 Ohm 6A Zener SuperMESH3 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP6N25 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
STP6N25FI 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
STP6N50 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
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