參數(shù)資料
型號： STP6LNC60
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 600V - 1ohm - 5.8A TO-220/TO-220FP PowerMesh⑩II MOSFET
中文描述： N溝道600V的- 1ohm - 5.8A TO-220/TO-220FP PowerMesh第二MOSFET的⑩
文件頁數(shù)： 3/9頁
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代理商： STP6LNC60
3/9
STP6LNC60/STP6LNC60FP
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(CONTINUED)
SWITCHING ON
Symbol
t
d(on)
SWITCHING OFF
Symbol
t
r(Voff)
t
f
t
c
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
Note: 1.
Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
2. Pulse width limited by safe operating area.
Parameter
Test Conditions
V
DD
= 300 V, I
D
= 3 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
(see test circuit, Figure 3)
V
DD
= 480V, I
D
= 6 A,
V
GS
= 10V
Min.
Typ.
Max.
Unit
Turn-on Delay Time
14.5
ns
t
r
Rise Time
15.5
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
28
39
nC
Gate-Source Charge
4.8
nC
Gate-Drain Charge
17.5
nC
Parameter
Test Conditions
V
DD
= 480V, I
D
= 6 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10V
(see test circuit, Figure 5)
Min.
Typ.
Max.
Unit
Off-voltage Rise Time
9
ns
Fall Time
7.5
ns
Cross-over Time
16
ns
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Source-drain Current
5.8
A
Source-drain Current (pulsed)
23.2
A
Forward On Voltage
I
SD
= 6 A, V
GS
= 0
I
SD
=6 A, di/dt = 100A/μs
V
DD
= 100V, T
j
= 150°C
(see test circuit, Figure 5)
1.6
V
Reverse Recovery Time
450
ns
Reverse Recovery Charge
2.4
μC
Reverse Recovery Current
10.6
A
Safe Operating Area for TO-220
Safe Operating Area for TO-220FP
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP6LNC60FP N-CHANNEL 600V - 1ohm - 5.8A TO-220/TO-220FP PowerMesh⑩II MOSFET
STP6N50FI ; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes
STP6N50 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STP6NA60FP N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式快速功率MOS晶體管)
STP6NK90ZFP N-CHANNEL 900V - 1.56ohm - 5.8A TO-220/TO-220FP/D2PAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STP6LNC60FP 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 600V - 1ohm - 5.8A TO-220/TO-220FP PowerMesh⑩II MOSFET
STP6N120K3 功能描述:MOSFET N-Ch 1200V 1.95 Ohm 6A Zener SuperMESH3 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP6N25 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
STP6N25FI 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
STP6N50 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
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