參數(shù)資料
型號(hào)： STP60NF10
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 100V - 0.019ohm - 80A D2PAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET
中文描述： N溝道100V的- 0.019ohm - 80A條D2PAK/TO-220 STripFET二功率MOSFET
文件頁數(shù)： 6/9頁
文件大?。?/td> 108K
代理商： STP60NF10
Fig. 1: Unclamped InductiveLoad Test Circuit
Fig. 3: Switching Times Test Circuits For
ResistiveLoad
Fig. 2: Unclamped InductiveWaveform
Fig. 4: Gate Chargetest Circuit
Fig. 5: TestCircuit For InductiveLoad Switching
And Diode Recovery Times
STP60NE10/FP
6/9
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP62NS04Z N-CHANNEL CLAMPED 12.5m - 62A TO-220 FULLY PROTECTED MESH OVERLAY MOSFET
STP6LNC60 N-CHANNEL 600V - 1ohm - 5.8A TO-220/TO-220FP PowerMesh⑩II MOSFET
STP6LNC60FP N-CHANNEL 600V - 1ohm - 5.8A TO-220/TO-220FP PowerMesh⑩II MOSFET
STP6N50FI ; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes
STP6N50 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STP60NH2LL 功能描述:MOSFET N-CH 24V 40A TO-220 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:STripFET™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
STP60NS04Z 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL CLAMPED 10mohm - 60A - TO-220 FULLY PROTECTED MESH OVERLAY MOSFET
STP60NS04ZB 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel clamped - 10mohm - 60A - TO-220 Fully protected Mesh Overlay Power MOSFET
STP60NS04ZB_06 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel clamped - 10mohm - 60A - TO-220 Fully protected Mesh Overlay Power MOSFET
STP6-1025 制造商:Carlo Gavazzi 功能描述:
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