參數(shù)資料
型號(hào)： STP60NF10
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 100V - 0.019ohm - 80A D2PAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET
中文描述： N溝道100V的- 0.019ohm - 80A條D2PAK/TO-220 STripFET二功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 3/9頁(yè)
文件大小： 108K
代理商： STP60NF10
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Delay Time
Rise Time
V
DD
= 50 V
R
G
= 4.7
(Resistive Load, see fig. 3)
V
DD
= 80 V I
D
= 60 A V
GS
= 10 V
I
D
= 30 A
V
GS
= 10 V
28
100
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
142
27
59
185
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(off)
t
f
Turn-off Delay Time
Fall Time
V
DD
= 50 V
R
G
= 4.7
(Resistive Load, see fig. 3)
V
clamp
= 80 V
R
G
=
4.7
(Inductive Load, see fig. 5)
I
D
= 30 A
V
GS
= 10 V
160
45
ns
ns
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
I
D
= 60 A
V
GS
= 10 V
40
45
85
ns
ns
ns
SOURCE DRAINDIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
60
240
A
A
V
SD
(
)
t
rr
I
SD
= 60 A
I
SD
= 60 A
V
DD
= 50 V
(see test circuit, fig. 5)
V
GS
= 0
1.5
V
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
di/dt = 100 A/
μ
s
T
j
= 150
o
C
170
1.02
12
ns
μ
C
A
(
) Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
(
) Pulse width limited by safe operating area
SafeOperating Area for TO-220
SafeOperating Area for TO-220FP
STP60NE10/FP
3/9
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP62NS04Z N-CHANNEL CLAMPED 12.5m - 62A TO-220 FULLY PROTECTED MESH OVERLAY MOSFET
STP6LNC60 N-CHANNEL 600V - 1ohm - 5.8A TO-220/TO-220FP PowerMesh⑩II MOSFET
STP6LNC60FP N-CHANNEL 600V - 1ohm - 5.8A TO-220/TO-220FP PowerMesh⑩II MOSFET
STP6N50FI ; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes
STP6N50 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STP60NH2LL 功能描述:MOSFET N-CH 24V 40A TO-220 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:STripFET™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
STP60NS04Z 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL CLAMPED 10mohm - 60A - TO-220 FULLY PROTECTED MESH OVERLAY MOSFET
STP60NS04ZB 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel clamped - 10mohm - 60A - TO-220 Fully protected Mesh Overlay Power MOSFET
STP60NS04ZB_06 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel clamped - 10mohm - 60A - TO-220 Fully protected Mesh Overlay Power MOSFET
STP6-1025 制造商:Carlo Gavazzi 功能描述:
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