參數(shù)資料
型號： STP60NE10
廠商： 意法半導體
英文描述： N - CHANNEL 100V - 0.016W - 60A TO-220/TO-220FP STripFET] POWER MOSFET
中文描述： ? - 100V的通道- 0.016W -第60A條TO-220/TO-220FP STripFET]功率MOSFET
文件頁數(shù)： 6/9頁
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代理商： STP60NE10
Fig. 1: Unclamped InductiveLoad Test Circuit
Fig. 3: Switching Times Test Circuits For
ResistiveLoad
Fig. 2: Unclamped InductiveWaveform
Fig. 4: Gate Chargetest Circuit
Fig. 5: TestCircuit For InductiveLoad Switching
And Diode Recovery Times
STP60NE10/FP
6/9
相關PDF資料
PDF描述
STP60N05 Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
STP60N05-16 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 60A I(D) | TO-220
STP60N05FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 32A I(D) | TO-220VAR
STP60N06 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 60A I(D) | TO-220
STP60N06-16 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 60A I(D) | TO-220
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
STP60NE10FP 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 100V - 0.016W - 60A TO-220/TO-220FP STripFET] POWER MOSFET
STP60NF03L 功能描述:MOSFET N-Ch 30 Volt 60 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP60NF03L 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N LOGIC TO-220
STP60NF03L_06 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 30V - 0.008Ω - 60A TO-220 STripFET? Power MOSFET
STP60NF06 功能描述:MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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