參數(shù)資料
型號(hào): STP60N06FI
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 32A I(D) | TO-220VAR
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五(巴西)直| 32A條(丁)|對220VAR
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文件大小: 108K
代理商: STP60N06FI
Fig. 1: Unclamped InductiveLoad Test Circuit
Fig. 3: Switching Times Test Circuits For
ResistiveLoad
Fig. 2: Unclamped InductiveWaveform
Fig. 4: Gate Chargetest Circuit
Fig. 5: TestCircuit For InductiveLoad Switching
And Diode Recovery Times
STP60NE10/FP
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP60NE10FP N - CHANNEL 100V - 0.016W - 60A TO-220/TO-220FP STripFET] POWER MOSFET
STP60NF06 N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A TO-220/TO-220FP STripFET⑩ POWER MOSFET
STP60NF06FP N-CHANNEL 60V - 0.014ohm - 60A TO-220/TO-220FP STripFET⑩ POWER MOSFET
STP60NF10 N-CHANNEL 100V - 0.019ohm - 80A D2PAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET
STP62NS04Z N-CHANNEL CLAMPED 12.5m - 62A TO-220 FULLY PROTECTED MESH OVERLAY MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STP60N3LH5 功能描述:MOSFET N-Ch 30V 0.0072 Ohm 48A IPAK STripFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP60N55F3 功能描述:MOSFET N Ch 55V 6.5mohm 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP60NE03L-10 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET
STP60NE03L-12 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 30V - 0.009 ohm - 60A - T0-220 STripFET POWER MOSFET
STP60NE06-16 功能描述:MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube