參數(shù)資料
型號(hào)： STP60N06FI
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 32A I(D) | TO-220VAR
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五（巴西）直| 32A條（丁）|對(duì)220VAR
文件頁(yè)數(shù)： 2/9頁(yè)
文件大小： 108K
代理商： STP60N06FI
THERMAL DATA
TO-220
TO-220FP
R
thj-case
Thermal Resistance Junction-case
Max
0.94
2.7
o
C/W
o
C/W
o
C/W
o
C
R
thj-amb
R
thc-sink
T
l
Thermal Resistance Junction-ambient
Thermal Resistance Case-sink
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
Max
Typ
62.5
0.5
300
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Max Value
Unit
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max)
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25
o
C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 35V)
60
A
E
AS
100
mJ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwisespecified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
I
D
= 250
μ
A
V
GS
= 0
100
V
I
DSS
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating
V
GS
=
±
20 V
T
c
= 125
o
C
1
10
μ
A
μ
A
nA
I
GSS
±
100
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
R
DS(on)
Gate Threshold Voltage V
DS
= V
GS
Static Drain-source On
Resistance
I
D
= 250
μ
A
I
D
= 30 A
2
3
4
V
V
GS
= 10V
0.016
0.022
I
D(on)
On State Drain Current
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
V
GS
= 10 V
60
A
DYNAMIC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs
(
)
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
I
D
=18 A
30
S
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
= 25 V
f = 1 MHz
V
GS
= 0
5300
640
215
pF
pF
pF
STP60NE10/FP
2/9
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP60NE10FP N - CHANNEL 100V - 0.016W - 60A TO-220/TO-220FP STripFET] POWER MOSFET
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參數(shù)描述
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