參數(shù)資料
型號: STP4NB30FP
廠商: 意法半導體
英文描述: N-CHANNEL 300V - 1.8ohm - 4A - TO-220/TO-220FP PowerMesh⑩ MOSFET
中文描述: N溝道300V - 1.8ohm -第4A - TO-220/TO-220FP PowerMesh⑩MOSFET的
文件頁數(shù): 6/9頁
文件大小: 331K
代理商: STP4NB30FP
STP4NB30/STP4NB30FP
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Fig. 5:
Test Circuit For Inductive Load Switching
And Diode Recovery Times
Fig. 4:
Gate Charge test Circuit
Fig. 2:
Unclamped Inductive Waveform
Fig. 1:
Unclamped Inductive Load Test Circuit
Fig. 3:
Switching Times Test Circuit For
Resistive Load
相關PDF資料
PDF描述
STP4NB50FP N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強模式MOSFET)
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STP4NC50 N-CHANNEL 500V - 2.2ohm - 4A TO-220/TO-220FP PowerMeshII MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
STP4NB50 功能描述:MOSFET RO 511-STP4NK50Z RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP4NB50FP 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 500V - 2.5ohm - 3.8A - TO-220/TO-220FP PowerMesh⑩ MOSFET
STP4NB80 功能描述:MOSFET RO 512-FQP4N80 3/05 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP4NB80FP 制造商:STMicroelectronics 功能描述: 制造商:STME 功能描述:
STP4NC50 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 500V - 2.2ohm - 4A TO-220/TO-220FP PowerMeshII MOSFET