參數(shù)資料
型號(hào)： STP4NB30FP
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 300V - 1.8ohm - 4A - TO-220/TO-220FP PowerMesh⑩ MOSFET
中文描述： N溝道300V - 1.8ohm -第4A - TO-220/TO-220FP PowerMesh⑩MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 2/9頁(yè)
文件大?。?/td> 331K
代理商： STP4NB30FP
STP4NB30/STP4NB30FP
2/9
THERMAL DATA
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max)
E
AS
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25 °C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TCASE
= 25 °C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
OFF
Symbol
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating, T
C
= 125 °C
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
ON
(1)
Symbol
V
GS(th)
R
DS(on)
DYNAMIC
Symbol
g
fs
(1)
TO-220
1.785
TO-220FP
4.17
Rthj-case
Rthj-amb
T
l
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
°C/W
°C/W
62.5
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
300
°C
Parameter
Max Value
4
Unit
A
150
mJ
Test Conditions
I
D
= 250 μA, V
GS
= 0
Min.
300
Typ.
Max.
Unit
V
V
DS
= Max Rating
1
μA
50
μA
V
GS
= ±30V
±100
nA
Parameter
Test Conditions
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 10V, I
D
= 2.5 A
Min.
Typ.
Max.
Unit
Gate Threshold Voltage
2
3
4
V
Static Drain-source On
Resistance
1.8
2
Parameter
Test Conditions
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max,
I
D
= 2.5 A
V
DS
= 25V, f = 1 MHz, V
GS
= 0
Min.
Typ.
2.1
Max.
Unit
S
Forward Transconductance
C
iss
C
oss
Input Capacitance
260
pF
Output Capacitance
56
pF
C
rss
Reverse Transfer
Capacitance
7
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP4NB50FP N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
STP4NB50 N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
STP4NB80FP N-Channel 800V-3Ω-4A- TO-220/TO-220FP PowerMESHTM MOSFET(N溝道MOSFET)
STP4NB80 N-Channel 800V-3Ω-4A- TO-220/TO-220FP PowerMESHTM MOSFET(N溝道MOSFET)
STP4NC50 N-CHANNEL 500V - 2.2ohm - 4A TO-220/TO-220FP PowerMeshII MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STP4NB50 功能描述:MOSFET RO 511-STP4NK50Z RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP4NB50FP 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 500V - 2.5ohm - 3.8A - TO-220/TO-220FP PowerMesh⑩ MOSFET
STP4NB80 功能描述:MOSFET RO 512-FQP4N80 3/05 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP4NB80FP 制造商:STMicroelectronics 功能描述: 制造商:STME 功能描述:
STP4NC50 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 500V - 2.2ohm - 4A TO-220/TO-220FP PowerMeshII MOSFET
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*