參數(shù)資料
型號(hào)： STP4N100
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET)
中文描述： N溝道增強(qiáng)模式功率MOS晶體管（不適用溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET的）
文件頁(yè)數(shù)： 6/10頁(yè)
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代理商： STP4N100
Turn-on Current Slope
Turn-off Drain-source Voltage Slope
Cross-over Time
Switching Safe Operating Area
Accidental Overload Area
Source-drain Diode Forward Characteristics
STP4N100/FI
6/10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP4NB100FP N-Channel 1000V-4Ω-3.8A- TO-220/TO-220FP PowerMESHTM MOSFET(N溝道MOSFET)
STP4NB100 N-Channel 1000V-4Ω-3.8A- TO-220/TO-220FP PowerMESHTM MOSFET(N溝道MOSFET)
STP4NB30 N-CHANNEL 300V - 1.8ohm - 4A - TO-220/TO-220FP PowerMesh⑩ MOSFET
STP4NB30FP N-CHANNEL 300V - 1.8ohm - 4A - TO-220/TO-220FP PowerMesh⑩ MOSFET
STP4NB50FP N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STP4N100FI 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STP4N100XI 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 2A I(D) | SOT-186VAR
STP4N150 功能描述:MOSFET PowerMESH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP4N150_06 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:N-channel 1500V - 5ヘ - 4A - TO-220/TO-247 Very high PowerMESH⑩ Power MOSFET
STP4N20 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 200V 4A 3PIN TO-220 - Rail/Tube
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