參數(shù)資料
型號(hào)： STP4N100
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor(N溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET)
中文描述： N溝道增強(qiáng)模式功率MOS晶體管（不適用溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET的）
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大?。?/td> 202K
代理商： STP4N100
Transconductance
Static Drain-source On Resistance
Gate Charge vs Gate-source Voltage
Capacitance Variations
Normalized On Resistance vs Temperature
Normalized Gate Threshold Voltage vs
Temperature
STP4N100/FI
5/10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP4NB100FP N-Channel 1000V-4Ω-3.8A- TO-220/TO-220FP PowerMESHTM MOSFET(N溝道MOSFET)
STP4NB100 N-Channel 1000V-4Ω-3.8A- TO-220/TO-220FP PowerMESHTM MOSFET(N溝道MOSFET)
STP4NB30 N-CHANNEL 300V - 1.8ohm - 4A - TO-220/TO-220FP PowerMesh⑩ MOSFET
STP4NB30FP N-CHANNEL 300V - 1.8ohm - 4A - TO-220/TO-220FP PowerMesh⑩ MOSFET
STP4NB50FP N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STP4N100FI 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STP4N100XI 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 2A I(D) | SOT-186VAR
STP4N150 功能描述:MOSFET PowerMESH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP4N150_06 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 1500V - 5ヘ - 4A - TO-220/TO-247 Very high PowerMESH⑩ Power MOSFET
STP4N20 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 200V 4A 3PIN TO-220 - Rail/Tube
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*