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參數(shù)資料
| 型號： | STP40N20 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 30V的N溝道的PowerTrench MOSFET的 |
| 文件頁數(shù)： | 3/13頁 |
| 文件大小： | 348K |
| 代理商： | STP40N20 |
3/13
STB40N20 - STP40N20 - STW40N20
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
CASE
=25°C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
Table 6: On/Off
Symbol
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating, T
C
= 125 °C
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 μA
R
DS(on)
Static Drain-source On
Resistance
Table 7: Dynamic
Symbol
g
fs
(1)
C
iss
C
oss
C
rss
Table 8: Source Drain Diode
Symbol
I
SD
I
SDM
(2)
Source-drain Current (pulsed)
V
SD
(1)
Forward On Voltage
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery Current
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery Current
(1) Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
(2) Pulse width limited by safe operating area.
Test Conditions
I
D
= 1mA, V
GS
= 0
Min.
200
Typ.
Max.
Unit
V
V
DS
= Max Rating
1
10
μA
μA
V
GS
= ± 20V
±100
nA
2
3
4
V
V
GS
= 10V, I
D
= 20 A
0.038
0.045
Parameter
Test Conditions
V
DS
= 15 V
,
I
D
=20 A
V
DS
= 25V, f = 1 MHz, V
GS
= 0
Min.
Typ.
30
Max.
Unit
S
Forward Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
2500
510
78
pF
pF
pF
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
= 100 V, I
D
= 20 A,
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
(Resistive Load see, Figure 17)
20
44
74
22
ns
ns
ns
ns
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V
DD
= 160V, I
D
= 40 A,
V
GS
= 10V
75
13.2
35.5
nC
nC
nC
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
40
160
Unit
A
A
Source-drain Current
I
SD
= 20 A, V
GS
= 0
I
SD
= 20 A, di/dt = 100A/μs
V
DD
= 100V, T
j
= 25°C
(see test circuit, Figure 18)
1.5
V
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
192
922
9.6
ns
nC
A
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
I
SD
= 20 A, di/dt = 100A/μs
V
DD
= 100V, T
j
= 150°C
(see test circuit, Figure 18)
242
1440
11.9
ns
nC
A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STP4020PQFP | PC Card Support |
| STP40N05 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-220 |
| STP40N05FI | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-220VAR |
| STP40N06 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-220 |
| STP40N06FI | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-220VAR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STP40N60M2 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 600 V, 0.078 OHM TYP., 34 A MDMESH II PLUS(TM) LOW - Rail/Tube 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-CH 600V 34A TO220 制造商:STMicroelectronics 功能描述:600V,0.078 Ohm, 34A, MDmesh II Plus,N-CHL,TO-220. 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Single N-Channel 650 V 0.088 Ohm 250 W Through Hole Power Mosfet - TO-220-3 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600 V, 0.078 Ohm typ., 34 A MDmesh II Plus(TM) low Qg Power MOSFET in TO-220 package |
| STP40N65M2 | 功能描述:MOSFET N-CH 650V 32A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:32A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:99 毫歐 @ 16A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:56.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2355pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 |
| STP40NE03L-20 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ” SINGLE FEATURE SIZE” POWER MOSFET |
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| STP40NF03L | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N TO-220 |
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