參數(shù)資料
型號： STP30NS15LFP
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 150V - 0.085 W - 10A TO-220FP MESH OVERLAY⑩ POWER MOSFET
中文描述： N溝道150伏- 0.085糯- 10A至- 220FP網(wǎng)眼密胺⑩功率MOSFET
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 317K
代理商： STP30NS15LFP
3/9
STP30NS15LFP
SWITCHING ON
SWITCHING OFF
SOURCE DRAIN DIODE
(*)
Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
(
)
Pulse width limited by safe operating area.
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Delay Time
Rise Time
V
DD
= 75 V
R
G
= 4.7
(Resistive Load, Figure 1)
I
D
= 5 A
V
GS
= 4.5 V
25
95
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V
DD
=120V I
D
=10A V
GS
=5V
(see test circuit, Figure 2)
40
7.5
20
54
nC
nC
nC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(off)
t
f
Turn-off Delay Time
Fall Time
V
DD
= 75 V
R
G
= 4.7
,
(Resistive Load, Figure 1)
I
D
= 5 A
V
GS
= 5 V
55
30
ns
ns
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
clamp
= 120 V
R
G
= 4.7
,
(Inductive Load, Figure 3)
I
D
= 10 A
V
GS
= 4.5 V
15
30
50
ns
ns
ns
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current (pulsed)
10
40
A
A
V
SD
(*)
Forward On Voltage
I
SD
= 10 A
V
GS
= 0
1.3
V
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Current
I
SD
= 10 A
V
r
= 30 V
(Inductive Load, Figure 3)
di/dt = 100A/μs
T
j
= 150°C
160
950
12
ns
nC
A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
Safe Operating Area
Thermal Impedance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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STP3NB100 N-Channel 1000V-5.3Ω-3A- TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET(N溝道MOSFET)
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參數(shù)描述
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