參數(shù)資料
型號： STP30NS15LFP
廠商： 意法半導體
英文描述： N-CHANNEL 150V - 0.085 W - 10A TO-220FP MESH OVERLAY⑩ POWER MOSFET
中文描述： N溝道150伏- 0.085糯- 10A至- 220FP網(wǎng)眼密胺⑩功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/9頁
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代理商： STP30NS15LFP
STP30NS15LFP
2/9
THERMAL DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25 °C unless otherwise specified)
OFF
ON
(1
)
DYNAMIC
Rthj-case
Rthj-amb
T
l
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
Max
Max
Typ
5
62.5
300
°C/W
°C/W
°C
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source Breakdown
Voltage
I
D
= 250 μA, V
GS
= 0
150
V
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating T
C
= 125°C
1
10
μA
μA
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
V
GS
= ± 15V
±100
nA
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
V
DS
= V
GS
I
D
= 250 μA
1
2
3
V
R
DS(on)
Static Drain-source On
Resistance
V
GS
= 10 V
V
GS
= 5 V
I
D
= 5 A
I
D
= 5 A
0.085
0.1
0.1
0.112
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs (*)
Forward Transconductance
V
DS
= 20 V
I
D
= 7 A
6
S
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
= 25V, f = 1 MHz, V
GS
= 0
1080
170
105
pF
pF
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP33N10FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STP3NA100FI N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強模式快速功率MOS晶體管)
STP3NA100 N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強模式快速功率MOS晶體管)
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STP3NB100 N-Channel 1000V-5.3Ω-3A- TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET(N溝道MOSFET)
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參數(shù)描述
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STP315N10F7 功能描述:MOSFET N-CH 100V 180A TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:180A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.7 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:180nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:12800pF @ 25V 功率 - 最大值:315W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50
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