參數(shù)資料
型號(hào)： STP2HNC60FP
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 600V - 4ohm - 2.2A TO-220/TO-220FP PowerMesh⑩II MOSFET
中文描述： N溝道600V的- 4Ω - 2.2a在TO-220/TO-220FP PowerMesh第二MOSFET的⑩
文件頁(yè)數(shù)： 2/9頁(yè)
文件大小： 328K
代理商： STP2HNC60FP
STP2HNC60/STP2HNC60FP
2/9
THERMAL DATA
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max)
E
AS
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25 °C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TCASE
= 25 °C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
OFF
Symbol
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating, T
C
= 125 °C
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
ON
(1)
Symbol
V
GS(th)
R
DS(on)
DYNAMIC
Symbol
g
fs
(1)
TO-220
2.1
TO-220FP
4.1
Rthj-case
Rthj-amb
T
l
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
°C/W
°C/W
62.5
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
300
°C
Parameter
Max Value
2.2
Unit
A
110
mJ
Test Conditions
I
D
= 250 μA, V
GS
= 0
Min.
600
Typ.
Max.
Unit
V
V
DS
= Max Rating
1
μA
50
μA
V
GS
= ±30V
±100
nA
Parameter
Test Conditions
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 10V, I
D
= 1 A
Min.
Typ.
Max.
Unit
Gate Threshold Voltage
2
3
4
V
Static Drain-source On
Resistance
4
5
Parameter
Test Conditions
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max,
I
D
= 1A
V
DS
= 25V, f = 1 MHz, V
GS
= 0
Min.
Typ.
2
Max.
Unit
S
Forward Transconductance
C
iss
C
oss
Input Capacitance
258
pF
Output Capacitance
40
pF
C
rss
Reverse Transfer
Capacitance
6
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP2NA50 Supercapacitor; Capacitance:1F; Series:EDL; Voltage Rating:5.5VDC; Capacitor Dielectric Material:Carbon Aerogel Foam; Package/Case:Stacked Coin; Termination:Radial Leaded; ESR:30ohm; Lead Pitch:20mm; Operating Temp. Max:70 C RoHS Compliant: Yes
STP2NA50FI Supercapacitor; Capacitance:1.5F; Series:EDL; Voltage Rating:5.5VDC; Capacitor Dielectric Material:Carbon Aerogel Foam; Package/Case:Stacked Coin; Termination:Radial Leaded; ESR:30ohm; Lead Pitch:20mm; Operating Temp. Max:70 C RoHS Compliant: Yes
STP2NC60 N-CHANNEL 600V - 7ohm - 1.9A - TO-220/TO-220FP PowerMesh⑩II MOSFET
STP2NC60FP N-CHANNEL 600V - 7ohm - 1.9A - TO-220/TO-220FP PowerMesh⑩II MOSFET
STP30NE03L Niobium Oxide Capacitor; Capacitor Type:Low ESR; Voltage Rating:4VDC; Capacitor Dielectric Material:Niobium Oxide; Capacitance:47uF; Capacitance Tolerance:+/- 20%; ESR:500mohm; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STP2N105K5 功能描述:MOSFET N-CH 1050V 1.5A TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1050V（1.05kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8 歐姆 @ 750mA， 10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:115pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
STP2N60 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STP2N60FI 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STP2N62K3 功能描述:MOSFET N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH3 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP2N80 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
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