參數(shù)資料
型號(hào)： STP19NB20
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
中文描述： N溝道增強(qiáng)模式PowerMESHTM MOSFET的（不適用溝道增強(qiáng)模式MOSFET的）
文件頁(yè)數(shù)： 6/9頁(yè)
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代理商： STP19NB20
Fig. 1:
Unclamped InductiveLoad Test Circuit
Fig. 3:
Switching Times Test Circuits For
ResistiveLoad
Fig. 2:
Unclamped Inductive Waveform
Fig. 4:
Gate Charge test Circuit
Fig. 5:
TestCircuit For InductiveLoad Switching
And Diode RecoveryTimes
STP19NB20/FP
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
STP22NE10L CAP,Paper,216uF
STP22NF03L N-CHANNEL 30V - 0.038ohm - 22A TO-220 STripFET⑩ POWER MOSFET
STP22NS25Z N-CHANNEL 250V - 0.13ohm - 22A TO-220/D2PAK Zener-Protected MESH OVERLAY⑩ MOSFET
STB22NS25Z N-CHANNEL 250V - 0.13ohm - 22A TO-220/D2PAK Zener-Protected MESH OVERLAY⑩ MOSFET
STP2HNC60 N-CHANNEL 600V - 4ohm - 2.2A TO-220/TO-220FP PowerMesh⑩II MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STP19NB20FP 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 200V - 0.15ohm - 19A - TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMESH⑩ MOSFET
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STP19NF20 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 200V 0.15 OHM - 15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP19NM50N 功能描述:MOSFET N-Ch 500V 14A Mosfet Mdmesh II Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STP19NM65N 功能描述:MOSFET N-channel 650V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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