參數(shù)資料
型號： STP19NB20
廠商： 意法半導體
英文描述： N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強模式MOSFET)
中文描述： N溝道增強模式PowerMESHTM MOSFET的（不適用溝道增強模式MOSFET的）
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 116K
代理商： STP19NB20
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Time
Rise Time
V
DD
= 100 V
R
G
= 4.7
(see test circuit, figure 3)
V
DD
= 160 V
I
D
= 9.5 A
V
GS
= 10 V
15
15
20
20
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
I
D
= 19 A V
GS
= 10 V
29
9.5
13
40
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
DD
= 160 V
R
G
= 4.7
(see test circuit, figure 5)
I
D
= 19 A
V
GS
= 10 V
10
10
20
15
15
30
ns
ns
ns
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
19
76
A
A
V
SD
(
)
I
SD
=19 A
V
GS
= 0
1.5
V
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
I
SD
=19 A
V
DD
= 50 V
(see test circuit, figure 5)
di/dt = 100 A/
μ
s
T
j
= 150
C
210
1.5
14.5
ns
μ
C
A
(
) Pulsed: Pulse duration =300
μ
s, duty cycle 1.5 %
(
) Pulse widthlimited by safe operating area
Safe OperatingArea for TO-220
Safe OperatingArea for TO-220FP
STP19NB20/FP
3/9
相關PDF資料
PDF描述
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