- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄98149 > STP1100BGA-100 32-BIT, 100 MHz, RISC PROCESSOR, PBGA272 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | STP1100BGA-100 |
| 元件分類： | 微控制器/微處理器 |
| 英文描述： | 32-BIT, 100 MHz, RISC PROCESSOR, PBGA272 |
| 封裝： | PLASTIC, BGA-272 |
| 文件頁數(shù)： | 30/32頁 |
| 文件大?。?/td> | 168K |
| 代理商： | STP1100BGA-100 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁當(dāng)前第30頁第31頁第32頁
7
SPARC v8 32-Bit Microprocessor With PCI/DRAM Interfaces
microSPARC-IIep
STP1100BGA
Preliminary
December 1997
Sun Microsystems, Inc
PCI_INT_L[7:0]
(IRL_L[3:0])
I/O
6.
Interrupt Requests. Sent to the microSPARC-IIep interrupt controller. If the PCI internal
interrupt controller is disabled, interrupt requests can be triggered by software and sent to
an external interrupt controller. For PCI, the interrupt signals should be connected as
following:
INTH#: PCI_INT_L[7] INTD#: PCI_INT_L[3]
INTG#: PCI_INT_L[6] INTC#: PCI_INT_L[2]
INTF#: PCI_INT_L[5] INTB#: PCI_INT_L[1]
INTE#: PCI_INT_L[4] INTA#: PCI_INT_L[0]
If PCI_INT_L[7:4] are used in a 5 volt PCI bus, the inputs have the potential of driving to
greater than 5 volts and external clamping diodes to 5 volts are required (PCI_INT_L[3:0]
are internally clipped to VDD2).
If the PCI internal interrupt controller is disabled, PCI_INT_L[3:0] can be used to function
as the SPARC interrupt request lines (IRL[3:0]) as dened in SPARC version 8.
PCI_REQ[3:0]#
In
2.
Bus Request.
In PCI Host mode, microSPARC-IIep internal PCI bus arbiter receives REQ# from other
PCI masters.
In PCI Satellite mode, PCI_REQ#[0] functions as PCI Bus Grant signal (SAT_GNT_L)
and PCI_REQ#[1] functions as PCI Initialization Device Select signal (IDSEL). The
remaining PCI_REQ#[3:2] signals should be tied high.
PCI_GNT[3:0]#
Out
2.
Bus Grant.
In PCI Host mode, microSPARC-IIep internal PCI bus arbiter sends GNT# to other PCI
masters.
In PCI Satellite mode, PCI_GNT#[0] functions as PCI Bus Request signal (SAT_REQ_L).
DRAM and Flash Memory Signals
Signal
Type
Note
Description
MEMDATA[63:0]
I/O
1.
64-bit bi-directional memory data bus accesses DRAM and ash memory. [31:0] or [7:0]
are used dependent on width of ash memory interface.
MEMPAR[1:0]
I/O
1.
Bi-directional memory data parity pins for DRAM only.
[0] is for MEMDATA[31:0] while [1] is for MEMDATA[63:32]. Parity is optional.
MEMADDR[11:0]
Out
3.
DRAM Address output pins. Require external buffering to provide the sufcient drive.
RAS_L[7:0]
Out
3.
DRAM Row Address Strobe. Eight separate RAS signals to support eight banks of
DRAM.
Require external buffering to provide sufcient drive.
CAS_L[3:0]
Out
3.
DRAM Column Address Strobes. Two pairs of CAS signals with each pair supporting four
banks of DRAM. Require external buffering to provide sufcient drive.
MWE_L
Out
3.
DRAM Write Enable output pin. Require external buffering to provide sufcient drive.
MOE_L
Out
3.
DRAM Output Enable output pin. Require external buffering to provide sufcient drive.
SIMM32_SEL
In
4.
DRAM Double-Density SIMM and DIMM select. Disables dual-RAS mode under
fast-page mode.
ROM_ADDR[23:0]
Out
3.
Flash memory Address bus (Byte address).
PCI Signals (Continued)
Signal
Type
Note
Description
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STP2001QFP | MULTIFUNCTION PERIPHERAL, PQFP16 |
| STP2011PGA | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PPGA279 |
| STP2024PQFP | 25 MHz, DMA CONTROLLER, PQFP120 |
| STP2200ABGA-100 | 256M X 8, DRAM CONTROLLER, PBGA225 |
| STP2202ABGA | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PBGA320 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STP110N10F7 | 功能描述:MOSFET N-Ch 100V 6mOhm 110A STripFET VII RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STP110N55F6 | 功能描述:MOSFET N-Ch 55V 4.3mOhm 55V STripFET VI RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STP110N8F6 | 功能描述:MOSFET N-CH 80V 110A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F6 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:110A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6.5 毫歐 @ 55A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:9130pF @ 40V 功率 - 最大值:200W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 |
| STP110N8F7 | 功能描述:MOSFET N-CH 80V 80A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7.5 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:46.8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3435pF @ 40V 功率 - 最大值:170W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 |
| STP1141 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:STP1141/1151 系列超低壓差，帶開關(guān)端集成穩(wěn)壓器 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。