參數(shù)資料
型號： STN3NE06
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel 60V-0.08Ω-3A - SOT-223 STripFETTM Power MOSFET(Ｎ溝道功率ＭＯＳＦＥＴ)
中文描述： N溝道60V的-0.08Ω- 3A條-采用SOT - 223 STripFETTM功率MOSFET（不適用溝道功率MOSFET的）
文件頁數(shù)： 3/8頁
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代理商： STN3NE06
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Time
Rise Time
V
DD
= 30 V
R
G
= 4.7
V
DD
= 40 V
I
D
= 6 A
V
GS
= 10 V
I
D
= 12 A
10
35
15
50
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V
GS
= 10 V
20
5
7
25
nC
nC
nC
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
r(Voff)
t
f
t
c
Off-voltage Rise Time
Fall Time
Cross-over Time
V
DD
= 48 V
R
G
= 4.7 W
I
D
= 12 A
V
GS
= 10 V
7
18
30
10
25
45
ns
ns
ns
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current
(pulsed)
Forward On Voltage
3
12
A
A
V
SD
(
)
I
SD
= 3 A
V
GS
= 0
1.5
V
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery
Time
Reverse Recovery
Charge
Reverse Recovery
Current
I
SD
= 12 A
V
DD
= 30 V
di/dt = 100 A/
μ
s
T
j
= 150
o
C
65
0.18
5.5
ns
μ
C
A
(
) Pulsed: Pulse duration =300
μ
s, duty cycle 1.5 %
(
) Pulse widthlimited by safe operating area
Safe OperatingArea
Thermal Impedance
STN3NE06
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PDF描述
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參數(shù)描述
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STN3NF06 功能描述:MOSFET N-Ch 30 Volt 3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STN3NF06L 功能描述:MOSFET N-Ch 60 Volt 4 AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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