參數(shù)資料
型號： STN3NE06
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel 60V-0.08Ω-3A - SOT-223 STripFETTM Power MOSFET(Ｎ溝道功率ＭＯＳＦＥＴ)
中文描述： N溝道60V的-0.08Ω- 3A條-采用SOT - 223 STripFETTM功率MOSFET（不適用溝道功率MOSFET的）
文件頁數(shù)： 2/8頁
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代理商： STN3NE06
THERMAL DATA
R
thj-pcb
R
thj-amb
T
l
Thermal Resistance Junction-PC Board
Thermal Resistance Junction-ambient
(Surface Mounted)
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
Max
Max
50
60
260
o
C/W
o
C/W
o
C
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Max Value
Unit
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max)
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25
o
C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 25 V)
3
A
E
AS
20
mJ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unlessotherwise specified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
I
D
= 250
μ
A
V
GS
= 0
60
V
I
DSS
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating
o
C
V
GS
=
±
20 V
T
c
= 125
1
10
μ
A
μ
A
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
±
100
nA
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold
Voltage
Static Drain-source On
Resistance
On State Drain Current
V
DS
= V
GS
I
D
= 250
μ
A
2
3
4
V
R
DS(on)
V
GS
= 10 V
I
D
= 6A
0.080
0.100
I
D(on)
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
V
GS
= 10 V
3
A
DYNAMIC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs
(
)
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
I
D
= 1.5 A
1
3
S
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
= 25 V
f = 1 MHz
V
GS
= 0 V
760
100
30
1000
140
45
pF
pF
pF
STN3NE06
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
STN3NF06L N-CHANNEL 60V - 0.07ohm - 4A SOT-223 STripFET⑩ II POWER MOSFET
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參數(shù)描述
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STN3NF06 功能描述:MOSFET N-Ch 30 Volt 3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STN3NF06L 功能描述:MOSFET N-Ch 60 Volt 4 AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STN3NF06L_08 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 60 V, 0.07 ヘ, 4 A, SOT-223 STripFET⑩ II Power MOSFET
STN3P6F6 功能描述:MOSFET P-Ch 60 V, 0.13 Ohm 3 A STripFET VI RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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