參數(shù)資料
型號： STN1NC60
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 600V - 12ohm - 0.3A - SOT-223 PowerMesh⑩II MOSFET
中文描述： N溝道600V的- 12ohm - 0.3A - SOT - 223封裝MOSFET的第二PowerMesh⑩
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 255K
代理商： STN1NC60
3/8
STN1NC60
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(CONTINUED)
SWITCHING ON
Symbol
t
d(on)
t
r
SWITCHING OFF
Symbol
t
r(Voff)
t
f
t
c
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
Note: 1.
Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
2. Pulse width limited by safe operating area.
Parameter
Test Conditions
V
DD
= 300V, I
D
= 0.5A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10V
(see test circuit, Figure 3)
V
DD
= 480V, I
D
= 1A,
V
GS
= 10V
Min.
Typ.
7.2
8
Max.
Unit
ns
ns
Turn-on Delay Time
Rise Time
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
7.3
10
nC
Gate-Source Charge
3.4
nC
Gate-Drain Charge
2.5
nC
Parameter
Test Conditions
V
DD
= 480V, I
D
= 1A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10V
(see test circuit, Figure 5)
Min.
Typ.
Max.
Unit
Off-voltage Rise Time
33
ns
Fall Time
11
ns
Cross-over Time
43
ns
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Source-drain Current
0.3
A
Source-drain Current (pulsed)
1.2
A
Forward On Voltage
I
SD
= 0.3 A, V
GS
= 0
I
SD
= 1A, di/dt = 100A/μs,
V
DD
= 25V, Tj = 150°C
(see test circuit, Figure 5)
1.6
V
Reverse Recovery Time
450
ns
Reverse Recovery Charge
720
μC
Reverse Recovery Current
3.2
A
Thermal Impedance
Safe Operating Area
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STN1NF10 N-CHANNEL 100V - 0.7ohm - 1A SOT-223 STripFET⑩ II POWER MOSFET
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STN2NF10 N-CHANNEL 100V - 0.23ohm - 2A SOT-223 STripFET⑩ II POWER MOSFET
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參數(shù)描述
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STN1NK80Z 功能描述:MOSFET POWER MOSFET Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STN2222 制造商:KODENSHI 制造商全稱:KODENSHI KOREA CORP. 功能描述:NPN Silicon Transistor
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