參數(shù)資料
型號(hào)： STN1NC60
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 600V - 12ohm - 0.3A - SOT-223 PowerMesh⑩II MOSFET
中文描述： N溝道600V的- 12ohm - 0.3A - SOT - 223封裝MOSFET的第二PowerMesh⑩
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 255K
代理商： STN1NC60
STN1NC60
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THERMAL DATA
Rthj-pcb
Rthj-amb
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max)
E
AS
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25 °C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TCASE
= 25 °C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
OFF
Symbol
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating, T
C
= 125 °C
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
ON
(1)
Symbol
V
GS(th)
R
DS(on)
DYNAMIC
Symbol
g
fs
(1)
T
l
Thermal Resistance Junction-PC Board
Thermal Resistance Junction-ambient Max
(Surface Mounted)
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
50
60
260
°C/W
°C/W
°C
Parameter
Max Value
0.3
Unit
A
60
mJ
Test Conditions
I
D
= 250 μA, V
GS
= 0
Min.
600
Typ.
Max.
Unit
V
V
DS
= Max Rating
1
μA
50
μA
V
GS
= ±30V
±100
nA
Parameter
Test Conditions
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 10V, I
D
=0.5 A
Min.
Typ.
Max.
Unit
Gate Threshold Voltage
2
3
4
V
Static Drain-source On
Resistance
12
15
I
D(on)
On State Drain Current
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max,
V
GS
= 10V
1
A
Parameter
Test Conditions
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max,
I
D
= 0.5A
V
DS
= 25V, f = 1 MHz, V
GS
= 0
Min.
Typ.
0.87
Max.
Unit
S
Forward Transconductance
C
iss
C
oss
Input Capacitance
108
pF
Output Capacitance
18
pF
C
rss
Reverse Transfer
Capacitance
2.5
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STN1NF10 N-CHANNEL 100V - 0.7ohm - 1A SOT-223 STripFET⑩ II POWER MOSFET
STN2NE10 N - CHANNEL 100V - 0.33 ohm - 2A - SOT-223 STripFET POWER MOSFET
STN2NF06L N-CHANNEL 60V - 0.1 ohm - 2A SOT-223 STripFET⑩ II POWER MOSFET
STN2NF10 N-CHANNEL 100V - 0.23ohm - 2A SOT-223 STripFET⑩ II POWER MOSFET
STN3NE06 N-Channel 60V-0.08Ω-3A - SOT-223 STripFETTM Power MOSFET(Ｎ溝道功率ＭＯＳＦＥＴ)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STN1NF10 功能描述:MOSFET N-Ch 100 Volt 1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STN1NF20 功能描述:MOSFET N-Channel 1.1 Ohm 200V 1A STripFET II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STN1NK60Z 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 0.25A Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STN1NK80Z 功能描述:MOSFET POWER MOSFET Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STN2222 制造商:KODENSHI 制造商全稱:KODENSHI KOREA CORP. 功能描述:NPN Silicon Transistor
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