參數(shù)資料
型號(hào)： STL8NH3LL
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 30 V - 0.012 з - 8 A PowerFLAT⑩ ULTRA LOW GATE CHARGE STripFET⑩ MOSFET
中文描述： N溝道30五- 0.012з - 8甲的PowerFLAT⑩超低柵極電荷STripFET⑩MOSFET的
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大小： 164K
代理商： STL8NH3LL
3/7
STL8NH3LL
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(CONTINUED)
Table 7: Switching On
Symbol
Parameter
t
d(on)
Turn-on Delay Time
Table 8: Switching
Symbol
t
d(off)
t
f
Table 9: Source Drain Diode
Symbol
I
SD
I
SDM
(3)
Source-drain Current (pulsed)
V
SD
(5)
Forward On Voltage
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery Current
(1) The value is rated according R
thj-c
(2) The value is rated according R
thj-a
(3) Pulse width limited by safe operating area.
(4) When mounted on minimum footprint
(5) Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
DD
= 15 V, I
D
= 4 A
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 4.5V
(see Figure 3)
V
DD
= 15V, I
D
= 8 A, V
GS
= 4.5 V
(see Figure 5)
15
ns
t
r
Rise Time
32
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
9
3.7
3
12
nC
nC
nC
Parameter
Test Conditions
V
DD
= 15 V, I
D
= 4 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 4.5 V
(see Figure 3)
Min.
Typ.
18
8.5
Max.
Unit
ns
ns
Turn-off-Delay Time
Fall Time
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
8
32
Unit
A
A
Source-drain Current
I
SD
= 8 A, V
GS
= 0
I
SD
= 8 A, di/dt = 100 A/μs
V
DD
= 20V, T
j
= 150°C
(see Figure 4)
1.3
V
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
24
17.4
1.45
ns
nC
A
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PDF描述
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參數(shù)描述
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