參數(shù)資料
型號： STL8NH3LL
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 30 V - 0.012 з - 8 A PowerFLAT⑩ ULTRA LOW GATE CHARGE STripFET⑩ MOSFET
中文描述： N溝道30五- 0.012з - 8甲的PowerFLAT⑩超低柵極電荷STripFET⑩MOSFET的
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代理商： STL8NH3LL
STL8NH3LL
2/7
Table 3: Absolute Maximum ratings
Symbol
V
DS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
V
DGR
Drain-gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
V
GS
Gate- source Voltage
I
D
(1)
Drain Current (continuous) at T
C
= 25°C (Steady State)
I
D
(2)
Drain Current (continuous) at T
C
= 100°C (Steady State)
I
DM
(3)
Drain Current (pulsed)
P
TOT
(1)
Total Dissipation at T
C
= 25°C
P
TOT
(2)
Total Dissipation at T
C
= 25°C (Steady State)
Derating Factor (2)
T
stg
Storage Temperature
T
j
Max. Operating Junction Temperature
Table 4: Thermal Data
Rthj-Case
Rthj-a (4)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
CASE
=25°C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
Table 5: On /Off
Symbol
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-source Breakdown
Voltage
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating, T
C
= 125°C
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 μA
R
DS(on
Static Drain-source On
Resistance
V
GS
= 4.5 V, I
D
= 4 A
Table 6: Dynamic
Symbol
g
fs
(5)
C
iss
C
oss
C
rss
Parameter
Value
Unit
30
V
30
V
± 16
V
8
A
5
A
32
A
50
W
1.56
W
0.4
W/°C
– 55 to 150
°C
Thermal Resistance Junction-Case Max
Thermal Operating Junction-ambient
2.5
80
°C/W
°C/W
Test Conditions
I
D
= 250 μA, V
GS
= 0
Min.
30
Typ.
Max.
Unit
V
V
DS
= Max Rating
1
10
μA
μA
V
GS
= ± 16 V
± 100
nA
1
V
V
GS
= 10 V, I
D
= 4 A
0.012
0.0135
0.015
0.017
Parameter
Test Conditions
V
DS
= 15V, I
D
= 4A
V
DS
= 25V, f= 1 MHz, V
GS
= 0
Min.
Typ.
TBD
Max.
Unit
S
Forward Transconductance
Input Capacitance
965
pF
Output Capacitance
285
pF
Reverse Transfer
Capacitance
38
pF
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PDF描述
STLC1510 NorthenLite G.lite DMT Transceiver
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STL8NH3LL_06 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 30V - 0.012ohm - 8A - PowerFLAT Ultra low gate charge STripFET Power MOSFET
STL8P2UH7 功能描述:MOSFET P-CH 20V 8A POWERFLAT22 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:8A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:22.5 毫歐 @ 4A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:22nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2390pF @ 16V 功率 - 最大值:2.4W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-PowerWDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（2x2） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STL8P4LLF6 功能描述:MOSFET P-CH 40V 8A PWRFLAT8 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F6 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:20.5 毫歐 @ 4A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:22nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2850pF @ 25V 功率 - 最大值:2.9W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?（5x6） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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