參數(shù)資料
型號: STH12NA60
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: Supercapacitor; Capacitance:0.47F; Series:EDL; Voltage Rating:5.5VDC; Capacitor Dielectric Material:Carbon Aerogel Foam; Package/Case:Stacked Coin; Termination:Radial Leaded; ESR:30ohm; Lead Pitch:5mm; Operating Temp. Max:70 C RoHS Compliant: Yes
中文描述: ? -快速通道增強(qiáng)型功率MOS器件
文件頁數(shù): 9/11頁
文件大小: 243K
代理商: STH12NA60
DIM.
mm
inch
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
4.7
4.9
0.185
0.193
C
1.17
1.37
0.046
0.054
D
2.5
0.098
E
0.5
0.78
0.019
0.030
F
1.1
1.3
0.043
0.051
G
10.8
11.1
0.425
0.437
H
14.7
15.2
0.578
0.598
L2
16.2
0.637
L3
18
0.708
L5
3.95
4.15
0.155
0.163
L6
31
1.220
R
12.2
0.480
4
4.1
0.157
0.161
R
A
C
D
E
H
F
G
L6
L3
L2
L5
1
2
3
TO-218 (SOT-93) MECHANICAL DATA
P025A
STH12NA60/FI - STW12NA60
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
STH33N20 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STH5NA100FI N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistors(N溝道增強(qiáng)模式快速功率MOS晶體管)
STW5NA100 N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistors(N溝道增強(qiáng)模式快速功率MOS晶體管)
STH5NA100 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS
STH60N10 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STH12NA60FI 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STH13009 功能描述:兩極晶體管 - BJT HI VT FS SWCH PW TRN NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
STH13090 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-218AC
STH13091 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 450V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-218AC
STH130N10F3-2 功能描述:MOSFET N-Ch 100V 7.8 mOhm 120 A STripFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube