參數(shù)資料
型號(hào)： STGW20NB60K
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 20A - 600V - TO-247 SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH⑩ IGBT
中文描述： N溝道20A條- 600V的-到247短路IGBT的證明PowerMESH⑩
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 279K
代理商： STGW20NB60K
STGW20NB60K
2/8
THERMAL DATA
Rthj-case
Rthj-amb
Rthc-h
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TCASE = 25 °C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
OFF
Symbol
Parameter
Collectro-Emitter Breakdown
Voltage
V
CE
= Max Rating, T
C
= 25 °C
V
CE
= Max Rating, T
C
= 125 °C
Gate-Emitter Leakage
Current (V
CE
= 0)
ON (1)
Symbol
V
GE(th)
DYNAMIC
Symbol
SWITCHING ON
Symbol
t
d(on)
t
r
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
Thermal Resistance Case-heatsink Typ
0.83
62.5
0.5
°C/W
°C/W
°C/W
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
BR(CES)
I
C
= 250 μA, V
GE
= 0
600
V
I
CES
Collector cut-off
(V
GE
= 0)
10
μA
100
μA
I
GES
V
GE
= ±20V , V
CE
= 0
±100
nA
Parameter
Test Conditions
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250μA
V
GE
= 15V, I
C
= 20 A
V
GE
= 15V, I
C
= 20 A, Tj =125°C
Min.
Typ.
Max.
Unit
Gate Threshold Voltage
5
7
V
V
CE(sat)
Collector-Emitter Saturation
Voltage
2.3
2.8
V
1.9
V
Parameter
Test Conditions
V
CE
= 25 V
,
I
C
=20 A
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs
C
ies
C
oes
Forward Transconductance
8
S
Input Capacitance
V
CE
= 25V, f = 1 MHz, V
GE
= 0
1300
pF
Output Capacitance
200
pF
C
res
Reverse Transfer
Capacitance
30
pF
Q
g
Total Gate Charge
V
CE
= 480V, I
C
= 20 A,
V
GE
= 15V
90
nC
Q
ge
Q
gc
Gate-Emitter Charge
T.B.D.
nC
Gate-Collector Charge
T.B.D.
nC
tscw
Short Circuit Withstand Time
V
ce
= 0.5 BVces , V
GE
= 15 V
,
Tj = 125°C , R
G
= 10
10
μs
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Turn-on Delay Time
V
CC
= 480 V, I
C
= 20 A
R
G
= 10
, V
GE
= 15 V
20
ns
Rise Time
70
ns
(di/dt)
on
Turn-on Current Slope
V
CC
= 480 V, I
C
= 20 A R
G
=10
V
GE
= 15 V,Tj = 125°C
350
A/μs
Eon
Turn-on Switching Losses
300
μJ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGW30NB60HD N-CHANNEL 30A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT
STGW50NB60H N-CHANNEL 50A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT
STGW50NB60M N-CHANNEL 50A - 600V - TO-247 PowerMESH⑩ IGBT
STGY50NB60 N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBT
STGY50NB60HD N-CHANNEL 50A - 600V MAX247 PowerMESH IGBT
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參數(shù)描述
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STGW20NC60VD 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 30 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGW20V60DF 功能描述:IGBT 晶體管 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置:Single 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:+/- 20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:40 A 柵極—射極漏泄電流:250 nA 功率耗散:167 W 最大工作溫度:+ 175 C 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGW20V60F 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IGBT & POWER BIPOLAR - Rail/Tube
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