參數(shù)資料
型號： STGF20NB60S
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 13A - 600V TO-220FP PowerMESH IGBT
中文描述： N溝道13A條- 600V到- 220FP PowerMESH IGBT的
文件頁數(shù)： 2/10頁
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代理商： STGF20NB60S
STGF20NB60S
2/10
Table 3: Absolute Maximum ratings
Symbol
V
CES
Collector-Emitter Voltage (V
GS
= 0)
V
ECR
Emitter-Collector Voltage
V
GE
Gate-Emitter Voltage
I
C
Collector Current (continuous) at T
C
= 25
°
C (#)
I
C
Collector Current (continuous) at T
C
= 100
°
C (#)
I
CM
( )
Collector Current (pulsed)
P
TOT
Total Dissipation at T
C
= 25
°
C
Derating Factor
V
ISO
Insulation withstand voltage AC (t=1sec, Tc=25
°
C)
T
stg
Storage Temperature
T
j
Operating Junction Temperature range
( )
Pulse width limited by safe operating area
Table 4: Thermal Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
CASE
=25
°
C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
Table 5: On/Off
Symbol
Parameter
V
BR(CES)
Collector-Emitter Breakdown
Voltage
V
BR(ECS)
Emitter-Collector Breakdown
Voltage
I
CES
Collector cut-off Current
(V
GE
= 0)
V
CE
= Max Rating, T
C
= 125
°
C
I
GES
Gate-Emitter Leakage
Current (V
CE
= 0)
V
GE(th)
Gate Threshold Voltage
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250 μA
V
CE(sat)
Collector-Emitter Saturation
Voltage
V
GE
= 15V, I
C
= 20A, Tj=150
°
C
(#) Calculated according to the iterative formula:
Parameter
Value
Unit
600
V
20
V
±20
V
24
A
13
A
70
A
40
W
0.32
W/
°
C
2500
V
–
55 to 150
°
C
Min.
Typ.
Max.
3.15
62.5
Rthj-case
Rthj-amb
T
L
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose (1.6 mm
from case, for 10 sec.)
°
C/W
°
C/W
°
C
300
Test Conditions
I
C
= 250 μA, V
GE
= 0
Min.
600
Typ.
Max.
Unit
V
I
C
= 1mA, V
GE
= 0
20
V
V
CE
= Max Rating, T
C
= 25
°
C
10
100
μA
μA
V
GE
= ± 20V , V
CE
= 0
±100
nA
2.5
5
V
V
GE
= 15V, I
C
= 20 A, Tj= 25
°
C
1.25
1.2
1.7
V
V
ICTC
)
–
C
–
)
TCIC
(
)
×
RTHJ
=
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PDF描述
STGP12NB60K SHORT CIRCUIT PROOF PowerMESH IGBT
STGP7NB60HDFP N-Channel 7A-600V- TO-220/FP PowerMESH IGBT(N溝道絕緣柵雙極晶體管)
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STGY40NC60VD N-CHANNEL 50A - 600V - Max247 Very Fast PowerMESH?? IGBT
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參數(shù)描述
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STGF35HF60W 功能描述:IGBT 晶體管 35A 600V Ultrafast IGBT over 100kHz OP RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGF3NB60FD 功能描述:IGBT N-CHANNEL 600V 3A TO-220FP RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:PowerMESH™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
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