參數(shù)資料
型號(hào)： STGE200NB60S
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 150A - 600V - ISOTOP PowerMESH⑩ IGBT
中文描述： N溝道150A - 600V的- 1000V的集電極IGBT的PowerMESH⑩
文件頁(yè)數(shù)： 2/9頁(yè)
文件大?。?/td> 334K
代理商： STGE200NB60S
STGE200NB60S
2/9
THERMAL DATA
Rthj-case
Rthj-amb
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
CASE
= 25 °C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
OFF
Symbol
Parameter
V
BR(CES)
Collector-Emitter Breakdown
Voltage
I
CES
Collector cut-off
(V
GE
= 0)
V
CE
= Max Rating, T
C
= 125 °C
I
GES
Gate-Emitter Leakage
Current (V
CE
= 0)
ON (1)
Symbol
V
GE(th)
V
CE(sat)
DYNAMIC
Symbol
SWITCHING ON
Symbol
t
d(on)
t
r
(di/dt)
on
Eon
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(CONTINUED)
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
0.208
30
°C/W
°C/W
Test Conditions
I
C
= 250 μA, V
GE
= 0
Min.
600
Typ.
Max.
Unit
V
V
CE
= Max Rating, T
C
= 25 °C
500
μA
5
mA
V
GE
= ±20V , V
CE
= 0
±100
nA
Parameter
Test Conditions
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250μA
V
GE
= 15V, I
C
= 100 A
V
GE
= 15V, I
C
=150 A, Tj =100°C
Min.
Typ.
Max.
Unit
Gate Threshold Voltage
3
5
V
Collector-Emitter Saturation
Voltage
1.2
1.6
V
1.2
V
Parameter
Test Conditions
V
CE
= 15 V
,
I
C
= 100 A
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs
C
ies
C
oes
C
res
Forward Transconductance
80
S
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
CE
= 25V, f = 1 MHz, V
GE
= 0
15600
1100
95
pF
pF
pF
Q
g
Q
ge
Q
gc
I
CL
Total Gate Charge
Gate-Emitter Charge
Gate-Collector Charge
V
CE
= 480V, I
C
= 100 A,
V
GE
= 15V
560
70
170
nC
nC
nC
Latching Current
V
clamp
= 480 V
Tj = 125°C , R
G
= 10
300
A
Parameter
Test Conditions
V
CC
= 480 V, I
C
= 100 A
R
G
= 2
, V
GE
= 15 V
V
CC
= 480 V, I
C
= 100 A R
G
=2
V
GE
= 15 V,Tj = 125°C
Min.
Typ.
Max.
Unit
Turn-on Delay Time
Rise Time
64
112
μs
μs
Turn-on Current Slope
Turn-on Switching Losses
1800
12
A/μs
mJ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGE50NB60HD N-CHANNEL 50A - 600V ISOTOP PowerMESH IGBT
STGF10NB60SD N-CHANNEL 10A - 600V TO-220FP PowerMESH? IGBT
STGP14NC60KD Suppressors, Outlet; Suppressor Type:Outlet Strip; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No RoHS Compliant: No
STGP7NB60FD N-CHANNEL 7A - 600V TO-220 / D2PAK PowerMESH? IGBT
STGP7NB60HD N-CHANNEL 7A - 600V TO-220/FP PowerMESH IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGE50NB60HD 功能描述:IGBT N-CHAN 600V 50A ISOTOP RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:PowerMESH™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
STGE50NC60VD 功能描述:IGBT 晶體管 N-chnl 50A-600V PowerMESH RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGE50NC60WD 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600volt 50 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGF10H60DF 制造商:STMicroelectronics 功能描述:IGBT 600V 20A 30W TO220FP 制造商:STMicroelectronics 功能描述:SADA_600 V, 10 A high speed trench gate field-stop IGBT
STGF10NB60SD 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 10 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*