參數(shù)資料
型號: STGD7NB60FT4
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: Transient Surge Protection Thyristor; Thyristor Type:Sidac; Package/Case:MS-013; Reel Quantity:1500; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:58V; Capacitance:70pF; Forward Voltage:5V; Holding Current:120mA; Leakage Current:5uA RoHS Compliant: NA
中文描述: N溝道第7A 600V的IGBT的TO-220/DPAK POWERMESH
文件頁數(shù): 5/8頁
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代理商: STGD7NB60FT4
5/8
STGP7NB60F - STGD7NB60F
DIM.
mm.
TYP
inch
TYP.
MIN.
4.40
0.61
1.15
0.49
15.25
10
2.40
4.95
1.23
6.20
2.40
13
3.50
MAX.
4.60
0.88
1.70
0.70
15.75
10.40
2.70
5.15
1.32
6.60
2.72
14
3.93
MIN.
0.173
0.024
0.045
0.019
0.60
0.393
0.094
0.194
0.048
0.244
0.094
0.511
0.137
MAX.
0.181
0.034
0.066
0.027
0.620
0.409
0.106
0.202
0.052
0.256
0.107
0.551
0.154
A
b
b1
c
D
E
e
e1
F
H1
J1
L
L1
L20
L30
P
Q
16.40
28.90
0.645
1.137
3.75
2.65
3.85
2.95
0.147
0.104
0.151
0.116
TO-220 MECHANICAL DATA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGD7NB60F N-CHANNEL 7A - 600V - T0-220 / DPAK PowerMESH IGBT
STGP7NB60F N-CHANNEL 7A - 600V - T0-220 / DPAK PowerMESH IGBT
STGD7NB60H-1 N-CHANNEL 7A - 600V IPAK PowerMESH IGBT
STGD7NB60HT4 N-CHANNEL 7A - 600V - DPAK POWERMESH IGBT
STGD7NB60H N-CHANNEL 7A - 600V - DPAK PowerMESH⑩ IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGD7NB60H 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 7 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGD7NB60H-1 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 7A - 600V IPAK PowerMESH IGBT
STGD7NB60HT4 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 7A - 600V - DPAK POWERMESH IGBT
STGD7NB60K 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 7A - 600V - TO-220/FP/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT
STGD7NB60K_07 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600V - 7A - TO-220 / DPAK Short circuit rated PowerMESH TM IGBT