- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄382559 > STGD7NB60FT4 (意法半導(dǎo)體) Transient Surge Protection Thyristor; Thyristor Type:Sidac; Package/Case:MS-013; Reel Quantity:1500; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:58V; Capacitance:70pF; Forward Voltage:5V; Holding Current:120mA; Leakage Current:5uA RoHS Compliant: NA PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | STGD7NB60FT4 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | Transient Surge Protection Thyristor; Thyristor Type:Sidac; Package/Case:MS-013; Reel Quantity:1500; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:58V; Capacitance:70pF; Forward Voltage:5V; Holding Current:120mA; Leakage Current:5uA RoHS Compliant: NA |
| 中文描述： | N溝道第7A 600V的IGBT的TO-220/DPAK POWERMESH |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 330K |
| 代理商： | STGD7NB60FT4 |
STGP7NB60F - STGD7NB60F
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Fig. 2:
Test Circuit For Inductive Load Switching
Fig. 1:
Gate Charge test Circuit
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STGD7NB60F | N-CHANNEL 7A - 600V - T0-220 / DPAK PowerMESH IGBT |
| STGP7NB60F | N-CHANNEL 7A - 600V - T0-220 / DPAK PowerMESH IGBT |
| STGD7NB60H-1 | N-CHANNEL 7A - 600V IPAK PowerMESH IGBT |
| STGD7NB60HT4 | N-CHANNEL 7A - 600V - DPAK POWERMESH IGBT |
| STGD7NB60H | N-CHANNEL 7A - 600V - DPAK PowerMESH⑩ IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STGD7NB60H | 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 7 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| STGD7NB60H-1 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 7A - 600V IPAK PowerMESH IGBT |
| STGD7NB60HT4 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 7A - 600V - DPAK POWERMESH IGBT |
| STGD7NB60K | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 7A - 600V - TO-220/FP/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT |
| STGD7NB60K_07 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600V - 7A - TO-220 / DPAK Short circuit rated PowerMESH TM IGBT |
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