參數(shù)資料
型號(hào)： STGD3NB60S
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 3A - 600V DPAK Power MESH IGBT
中文描述： N溝道3A條- 600V的IGBT的DPAK封裝電力網(wǎng)格
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大小： 83K
代理商： STGD3NB60S
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
SWITCHING OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
c
t
r
(v
off
)
t
d
(off)
t
f
E
off
(**)
t
c
t
r
(v
off
)
t
d
(off)
t
f
E
off
(**)
(
) Pulse width limited by max. junction temperature
(
) Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
(**)Losses Include Also The Tail(Jedec Standardization)
Cross-Over Time
Off Voltage Rise Time
Delay Time
Fall Time
Turn-off Switching Loss
V
CC
= 480 V
R
GE
= 1 k
I
C
= 3 A
V
GE
= 15 V
1.8
1.0
3.4
0.72
1.15
μ
s
μ
s
μ
s
μ
s
mJ
Cross-Over Time
Off Voltage Rise Time
Delay Time
Fall Time
Turn-off Switching Loss
V
CC
= 480 V
R
GE
= 10
T
j
= 125
o
C
I
C
= 3 A
V
GE
= 15 V
2.8
1.45
3.6
1.2
1.8
μ
s
μ
s
μ
s
μ
s
mJ
Thermal Impedance
STGD3NB60S
3/8
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGD5NB120SZ-1 40 Characters x 1 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor
STGD5NB120SZ N-CHANNEL 5A - 1200V DPAK/IPAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH? IGBT
STGD5NB120SZT4 N-CHANNEL 5A - 1200V DPAK/IPAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH? IGBT
STGD7NB60FT4 Transient Surge Protection Thyristor; Thyristor Type:Sidac; Package/Case:MS-013; Reel Quantity:1500; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:58V; Capacitance:70pF; Forward Voltage:5V; Holding Current:120mA; Leakage Current:5uA RoHS Compliant: NA
STGD7NB60F N-CHANNEL 7A - 600V - T0-220 / DPAK PowerMESH IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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STGD3NB60ST4 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 3A - 600V DPAK Power MESH IGBT
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