參數(shù)資料
型號： STGB7NB60KD
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 7A - 600V - TO-220/FP/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT
中文描述： N溝道第7A - 600V的- IGBT的TO-220/FP/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大小： 322K
代理商： STGB7NB60KD
DIM.
mm
inch
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
4.4
4.6
0.173
0.181
A1
2.49
2.69
0.098
0.106
B
0.7
0.93
0.027
0.036
B2
1.14
1.7
0.044
0.067
C
0.45
0.6
0.017
0.023
C2
1.21
1.36
0.047
0.053
D
8.95
9.35
0.352
0.368
E
10
10.4
0.393
0.409
G
4.88
5.28
0.192
0.208
L
15
15.85
0.590
0.624
L2
1.27
1.4
0.050
0.055
L3
1.4
1.75
0.055
0.068
L2
L3
L
B2
B
G
E
A
C2
D
C
A1
DETAIL "A"
DETAIL "A"
A
P011P6/E
TO-263 (D
2
PAK) MECHANICAL DATA
STGB7NB60HD
7/8
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGB7NC60HD N-CHANNEL 14A - 600V - TO-220/TO-220FP/DPAK Very Fast PowerMESH IGBT
STGB7NC60HDT4 N-CHANNEL 14A - 600V - TO-220/TO-220FP/DPAK Very Fast PowerMESH IGBT
STGF7NC60HD N-CHANNEL 14A - 600V - TO-220/TO-220FP/DPAK Very Fast PowerMESH IGBT
STGP7NC60HD N-CHANNEL 14A - 600V - TO-220/TO-220FP/DPAK Very Fast PowerMESH IGBT
STGD3NB60SDT4 N-CHANNEL 3A - 600V DPAK POWERMESH IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGB7NB60KDT4 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 7 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGB7NB60KT4 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 7A I(C) | TO-263AB
STGB7NB60MDT4 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 7 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGB7NC60HD 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Transistor IGBT N-Ch 600V 25A D2PAK
STGB7NC60HDT4 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 14 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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