參數(shù)資料
型號(hào)： STGB7NB60HDT4
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： Transient Surge Protection Thyristor; Thyristor Type:Sidac; Leaded Process Compatible:No; Package/Case:DO-214AA; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Reel Quantity:2500; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:25V; Capacitance:110pF RoHS Compliant: No
中文描述： N溝道第7A - 600V的-采用D2PAK POWERMESH IGBT的
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 322K
代理商： STGB7NB60HDT4
Output Characteristics
Transconductance
Collector-Emitter On Voltage vs Collector Current
Transfer Characteristics
Collector-Emitter On Voltage vs Temperature
Gate Threshold vs Temperature
STGB7NB60HD
4/8
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGB7NB60HD N-CHANNEL 7A - 600V DPAK PowerMESH IGBT
STGB7NB60KD N-CHANNEL 7A - 600V - TO-220/FP/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT
STGB7NC60HD N-CHANNEL 14A - 600V - TO-220/TO-220FP/DPAK Very Fast PowerMESH IGBT
STGB7NC60HDT4 N-CHANNEL 14A - 600V - TO-220/TO-220FP/DPAK Very Fast PowerMESH IGBT
STGF7NC60HD N-CHANNEL 14A - 600V - TO-220/TO-220FP/DPAK Very Fast PowerMESH IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGB7NB60KD 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 7A - 600V - TO-220/TO-220FP/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT
STGB7NB60KDT4 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 7 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGB7NB60KT4 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 7A I(C) | TO-263AB
STGB7NB60MDT4 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 7 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
STGB7NC60HD 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Transistor IGBT N-Ch 600V 25A D2PAK
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*