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參數(shù)資料
| 型號： | STE40NC60 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | N-CHANNEL 600V - 0.098ohm - 40A ISOTOP PowerMesh⑩II MOSFET |
| 中文描述： | N溝道600V的- 0.098ohm - 40A條1000V的集電極PowerMesh第二MOSFET的⑩ |
| 文件頁數(shù)： | 2/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 270K |
| 代理商： | STE40NC60 |
STE40NC60
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THERMAL DATA
Rthj-case
Rthc-h
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max)
E
AS
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25 °C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TCASE
= 25 °C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
OFF
Symbol
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating, T
C
= 125 °C
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
ON
(1)
Symbol
V
GS(th)
R
DS(on)
DYNAMIC
Symbol
g
fs
(1)
Note: 1.
Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Case-heatsink with Conductive
Grease Applied
0.272
0.05
°C/W
°C/W
Parameter
Max Value
40
Unit
A
1150
mJ
Test Conditions
I
D
= 250 μA, V
GS
= 0
Min.
600
Typ.
Max.
Unit
V
V
DS
= Max Rating
10
μA
100
μA
V
GS
= ± 30V
±100
nA
Parameter
Test Conditions
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
= 10V, I
D
= 20A
Min.
Typ.
Max.
Unit
Gate Threshold Voltage
2
3
4
V
Static Drain-source On
Resistance
0.098
0.130
Parameter
Test Conditions
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max,
I
D
= 15 A
V
DS
= 25V, f = 1 MHz, V
GS
= 0
Min.
Typ.
42
Max.
Unit
S
Forward Transconductance
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
11.1
nF
Output Capacitance
1190
pF
Reverse Transfer
Capacitance
100
pF
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STE40NA60 | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
| STE45NK80ZD | N-CHANNEL 800V - 0.11ohm - 45 A ISOTOP Super FREDMesh MOSFET |
| STE48NM50 | CAP 120PF 50V CERAMIC MONO 5% |
| STE48NM60 | N-CHANNEL 600V 0.09 OHM 48A ISOTOP MDMESH POWER MOSFET |
| STE53NC50 | N-CHANNEL 500V - 0.070ohm - 53A ISOTOP PowerMesh⑩II MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STE40NK90ZD | 功能描述:MOSFET N-Ch 900 Volt 40 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STE40NK90ZD_06 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 900V - 0.14ヘ - 40A ISOTOP Super FREDmesh⑩ MOSFET |
| STE4-420 | 制造商:Carlo Gavazzi 功能描述: |
| STE45N50 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 500V V(BR)DSS | 45A I(D) |
| STE45NK80ZD | 功能描述:MOSFET N-Ch 800 Volt 45 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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