參數(shù)資料
型號(hào)： STE40NA60
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
中文描述： ? -快速通道增強(qiáng)型功率MOS器件
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 270K
代理商： STE40NA60
3/8
STE40NC60
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(CONTINUED)
SWITCHING ON
Symbol
Parameter
t
d(on)
Turn-on Delay Time
SWITCHING OFF
Symbol
t
r(Voff)
t
f
t
c
SOURCE DRAIN DIODE
Symbol
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
Note: 1.
Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
2. Pulse width limited by safe operating area.
Test Conditions
V
DD
= 300 V, I
D
= 20 A
R
G
= 4.7
V
GS
= 10V
(see test circuit, Figure 3)
V
DD
= 480V, I
D
= 40A,
V
GS
= 10V
Min.
Typ.
Max.
Unit
49
ns
t
r
Rise Time
42
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
307.5
430
nC
Gate-Source Charge
48
nC
Gate-Drain Charge
146.5
nC
Parameter
Test Conditions
V
DD
= 480V, I
D
= 40A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10V
(see test circuit, Figure 5)
Min.
Typ.
Max.
Unit
Off-voltage Rise Time
41
ns
Fall Time
26
ns
Cross-over Time
74
ns
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Source-drain Current
40
A
Source-drain Current (pulsed)
160
A
Forward On Voltage
I
SD
= 40A, V
GS
= 0
I
SD
= 40 A, di/dt = 100 A/μs,
V
DD
= 40 V, T
j
= 150 °C
(see test circuit, Figure 5)
1.6
V
Reverse Recovery Time
685
ns
Reverse Recovery Charge
15
μC
Reverse Recovery Current
44
A
Safe Operating Area
Thermal Impedence
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STE45NK80ZD N-CHANNEL 800V - 0.11ohm - 45 A ISOTOP Super FREDMesh MOSFET
STE48NM50 CAP 120PF 50V CERAMIC MONO 5%
STE48NM60 N-CHANNEL 600V 0.09 OHM 48A ISOTOP MDMESH POWER MOSFET
STE53NC50 N-CHANNEL 500V - 0.070ohm - 53A ISOTOP PowerMesh⑩II MOSFET
STE53NA50 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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STE40NK90ZD_06 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:N-channel 900V - 0.14ヘ - 40A ISOTOP Super FREDmesh⑩ MOSFET
STE4-420 制造商:Carlo Gavazzi 功能描述:
STE45N50 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 500V V(BR)DSS | 45A I(D)
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