參數(shù)資料
型號: STD35NF3LL
廠商: 意法半導體
英文描述: N-CHANNEL 30V - 0.014 ohm - 35A IPAK/DPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
中文描述: N溝道30V的- 0.014歐姆- 35A條,像是iPak / DPAK封裝STripFET⑩二功率MOSFET
文件頁數(shù): 5/10頁
文件大小: 468K
代理商: STD35NF3LL
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STD35NF3LL/STD35NF3LL-1
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Normalized Gate Threshold Voltage vs Temperature
Normalized on Resistance vs Temperature
Source-drain Diode Forward Characteristics
Normalized Breakdown Voltage vs Temperature.
相關PDF資料
PDF描述
STD3N30L N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STD3N30 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STD3NB50-1 ***** BITTE 4969170 VERWENDEN*****
STD3NB50 N - CHANNEL 500V - 2.5ohm - 3A - IPAK/DPAK PowerMESH MOSFET
STD3NC50 N - CHANNEL 500V - 2.4ohm - 3A TO-251/TO-252 PowerMESHII MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
STD35NF3LL 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N D-PAK
STD35NF3LL_07 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 30V - 0.014ohm - 35A - DPAK STripFET TM II Power MOSFET
STD35NF3LL-1 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 30V - 0.014 ohm - 35A IPAK/DPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
STD35NF3LLT4 功能描述:MOSFET N-Ch 30 Volt 35 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD35P6LLF6 功能描述:MOSFET P-CH 60V 35A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F6 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):35A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):28 毫歐 @ 17.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):30nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3780pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1