參數(shù)資料
型號(hào)： STD35NF3LL
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 30V - 0.014 ohm - 35A IPAK/DPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
中文描述： N溝道30V的- 0.014歐姆- 35A條，像是iPak / DPAK封裝STripFET⑩二功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 2/10頁(yè)
文件大?。?/td> 468K
代理商： STD35NF3LL
STD35NF3LL/STD35NF3LL-1
2/10
THERMAL DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25 °C unless otherwise specified)
OFF
ON
(*
)
DYNAMIC
Rthj-case
Rthj-amb
T
l
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
Max
Max
Typ
3
100
300
°C/W
°C/W
°C
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
I
D
= 250 μA, V
GS
= 0
30
V
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating T
C
= 100°C
1
10
μA
μA
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
V
GS
= ± 16 V
±100
nA
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
V
DS
= V
GS
I
D
= 250 μA
1
V
R
DS(on)
Static Drain-source On
Resistance
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 17.5 A
I
D
= 17.5 A
0.014
0.016
0.0195
0.0215
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs (*)
Forward Transconductance
V
DS
=15 V
I
D
= 17.5 A
19
S
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
= 25V, f = 1 MHz, V
GS
= 0
800
250
60
pF
pF
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD3N30L N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STD3N30 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STD3NB50-1 ***** BITTE 4969170 VERWENDEN*****
STD3NB50 N - CHANNEL 500V - 2.5ohm - 3A - IPAK/DPAK PowerMESH MOSFET
STD3NC50 N - CHANNEL 500V - 2.4ohm - 3A TO-251/TO-252 PowerMESHII MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STD35NF3LL 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N D-PAK
STD35NF3LL_07 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 30V - 0.014ohm - 35A - DPAK STripFET TM II Power MOSFET
STD35NF3LL-1 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 30V - 0.014 ohm - 35A IPAK/DPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
STD35NF3LLT4 功能描述:MOSFET N-Ch 30 Volt 35 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD35P6LLF6 功能描述:MOSFET P-CH 60V 35A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F6 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:35A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:28 毫歐 @ 17.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:30nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3780pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*