參數(shù)資料
型號: STD2NB80
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: N - CHANNEL 800V - 4.6 ohm - 1.9A - IPAK/DPAK PowerMESH MOSFET
中文描述: ? -頻道800V的- 4.6歐姆- 1.9A -像是iPak / MOSFET的DPAK封裝PowerMESH
文件頁數(shù): 8/9頁
文件大?。?/td> 92K
代理商: STD2NB80
DIM.
mm
inch
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
2.2
2.4
0.086
0.094
A1
0.9
1.1
0.035
0.043
A2
0.03
0.23
0.001
0.009
B
0.64
0.9
0.025
0.035
B2
5.2
5.4
0.204
0.212
C
0.45
0.6
0.017
0.023
C2
0.48
0.6
0.019
0.023
D
6
6.2
0.236
0.244
E
6.4
6.6
0.252
0.260
G
4.4
4.6
0.173
0.181
H
9.35
10.1
0.368
0.397
L2
0.8
0.031
L4
0.6
1
0.023
0.039
=
=
D
L2
L4
1
3
=
=
B
E
=
=
B
G
2
A
C
C
H
A
DETAIL”A”
A
DETAIL”A”
TO-252 (DPAK) MECHANICAL DATA
0068772-B
STD2NB80
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD2NC40 N-CHANNEL 400V - 4.7ohm - 1.5A IPAK PowerMeshII MOSFET
STD2NC40-1 N-CHANNEL 400V - 4.7ohm - 1.5A IPAK PowerMeshII MOSFET
STD2NC45-1 N-CHANNEL 450V - 4.1ohm - 1.5 A IPAK / TO-92 SuperMESH⑩Power MOSFET
STQ1NC45R Low Current Operation at 250 ,Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
STQ1NC45 N-CHANNEL 450V - 4.1ohm - 1.5 A IPAK / TO-92 SuperMESH⑩Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STD2NB80-1 功能描述:MOSFET N-Ch 800 Volt 1.9Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD2NB80T4 功能描述:MOSFET N-Ch 800 Volt 1.9Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD2NC40 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 400V - 4.7ohm - 1.5A IPAK PowerMeshII MOSFET
STD2NC40-1 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 400V - 4.7ohm - 1.5A IPAK PowerMeshII MOSFET
STD2NC45-1 功能描述:MOSFET N-Ch, 450V-4.1ohms 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube