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參數(shù)資料
| 型號： | STD2NA60 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | Supercapacitor; Capacitance:0.47F; Series:EDL; Voltage Rating:5.5VDC; Capacitor Dielectric Material:Carbon Aerogel Foam; Package/Case:Stacked Coin; Termination:Radial Leaded; ESR:30ohm; Lead Pitch:20mm; Operating Temp. Max:70 C RoHS Compliant: Yes |
| 中文描述： | ? -通道增強型功率MOS器件 |
| 文件頁數(shù)： | 6/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 172K |
| 代理商： | STD2NA60 |
Fig. 1:
Unclamped Inductive Load Test Circuits
Fig. 2:
Unclamped Inductive Waveforms
Switching Safe Operating Area
Accidental Overload Area
Source-drain Diode Forward Characteristics
STD2NA60
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STD2NB80T4 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 1.9A I(D) | TO-252AA |
| STD2NB80 | N - CHANNEL 800V - 4.6 ohm - 1.9A - IPAK/DPAK PowerMESH MOSFET |
| STD2NC40 | N-CHANNEL 400V - 4.7ohm - 1.5A IPAK PowerMeshII MOSFET |
| STD2NC40-1 | N-CHANNEL 400V - 4.7ohm - 1.5A IPAK PowerMeshII MOSFET |
| STD2NC45-1 | N-CHANNEL 450V - 4.1ohm - 1.5 A IPAK / TO-92 SuperMESH⑩Power MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STD2NA60-1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 2.3A I(D) | TO-251 |
| STD2NA60T4 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 2.3A I(D) | TO-252 |
| STD2NB25 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL 250V - 1.7ohm - 2A - IPAK/DPAK PowerMESH MOSFET |
| STD2NB25-1 | 功能描述:MOSFET N-CH 250V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STD2NB25T4 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-252AA |
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