參數(shù)資料
型號： STD17N06
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
中文描述： ? -通道增強(qiáng)型功率MOS器件
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大小： 180K
代理商： STD17N06
Fig. 1:
Unclamped Inductive Load Test Circuits
Fig. 2:
Unclamped Inductive Waveforms
Switching Safe Operating Area
Accidental Overload Area
Source-drain Diode Forward Characteristics
STD17N05/STD17N06
6/10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD17N05-1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-251
STD17N05L-1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-251AA
STD17N05LT4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-252AA
STD17N05T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-252
STD17N06-1 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-251
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STD17N06-1 功能描述:MOSFET DISC BY STM 4/01 TO-251 N-CH 60V 17A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD17N06L 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR
STD17N06L-1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-251AA
STD17N06LT4 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-252AA
STD17N06T4 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-252
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