參數(shù)資料
型號： STD16NF06L
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 60V - 0.060 - 24A DPAK/IPAK STripFET II POWER MOSFET
中文描述： N溝道60V的- 0.060 - 24A條的DPAK /像是iPak STripFET二功率MOSFET
文件頁數(shù)： 3/11頁
文件大?。?/td> 347K
代理商： STD16NF06L
3/11
STD16NF06L
Table 8:
SWITCHING ON
Table 9:
SWITCHING OFF
Table 10:
SOURCE DRAIN DIODE
(1 )
Pulse width limited by safe operating area.
(2)
Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Delay Time
Rise Time
V
DD
= 30 V
R
G
= 4.7
(Resistive Load, Figure 17)
I
D
= 8 A
V
GS
= 5 V
12
30
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
V
DD
= 30 V I
D
= 16 A V
GS
= 5 V
7.5
2.5
4.2
nC
nC
nC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(off)
t
f
Turn-off Delay Time
Fall Time
V
DD
= 30 V
R
G
= 4.7
,
(Resistive Load, Figure 17)
I
D
= 8 A
V
GS
= 5 V
20
6
ns
ns
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
(
)
Source-drain Current
Source-drain Current (pulsed)
16
64
A
A
V
SD
(*)
Forward On Voltage
I
SD
= 64 A V
GS
= 0
1.5
V
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Current
I
SD
=16 A
V
DD
= 25 V
(see test circuit, Figure 19)
di/dt = 100A/μs
T
j
= 150°C
53
85
3.2
ns
μ
C
A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
Figure 3:
Safe Operating Area
Figure 4:
Thermal Impedance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD16NF06L-1 N-CHANNEL 60V - 0.060 - 24A DPAK/IPAK STripFET II POWER MOSFET
STD16NF06LT4 N-CHANNEL 60V - 0.060 - 24A DPAK/IPAK STripFET II POWER MOSFET
STD17N05L N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR
STD17N06L N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR
STD17N06 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STD16NF06L_07 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 60V - 0.060Ω - 24A - DPAK/IPAK STripFET? II Power MOSFET
STD16NF06L-1 制造商:STMicroelectronics 功能描述:
STD16NF06LT4 功能描述:MOSFET N-Ch 60 Volt 16 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD16NF06T4 功能描述:MOSFET N Ch 60V 0.060 Ohm 16A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD16NF25 功能描述:MOSFET N-Channel 250V Pwr Mosfet RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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