參數(shù)資料
型號： STD16NF06L
廠商： 意法半導體
英文描述： N-CHANNEL 60V - 0.060 - 24A DPAK/IPAK STripFET II POWER MOSFET
中文描述： N溝道60V的- 0.060 - 24A條的DPAK /像是iPak STripFET二功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/11頁
文件大?。?/td> 347K
代理商： STD16NF06L
STD16NF06L
2/11
Table 4:
THERMAL DATA
(*)
When Mounted on 1 inch
2
FR-4 board, 2 oz of Cu
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
CASE
= 25 °C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED)
Table 5:
OFF
Table 6:
ON
(5
)
Table 7:
DYNAMIC
Rthj-case
Rthj-pcb
T
l
Thermal Resistance Junction-case
(*)
Thermal Resistance Junction-PCB
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
(1.6 mm from case, for 10 sec)
Max
Max
3.75
62
275
°C/W
°C/W
°C
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
I
D
= 250 μA, V
GS
= 0
60
V
I
DSS
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating T
C
= 125°C
1
10
μA
μA
I
GSS
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
V
GS
= ± 18V
±100
nA
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
V
DS
= V
GS
I
D
= 250 μA
1
V
R
DS(on)
Static Drain-source On
Resistance
V
GS
= 10 V
V
GS
= 5 V
I
D
= 8 A
I
D
= 8 A
0.060
0.070
0.070
0.085
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs (*)
Forward Transconductance
V
DS
=
15 V
I
D
= 12 A
12
S
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
= 25V f = 1 MHz V
GS
= 0
370
69
30
pF
pF
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD16NF06L-1 N-CHANNEL 60V - 0.060 - 24A DPAK/IPAK STripFET II POWER MOSFET
STD16NF06LT4 N-CHANNEL 60V - 0.060 - 24A DPAK/IPAK STripFET II POWER MOSFET
STD17N05L N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR
STD17N06L N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR
STD17N06 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STD16NF06L_07 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 60V - 0.060Ω - 24A - DPAK/IPAK STripFET? II Power MOSFET
STD16NF06L-1 制造商:STMicroelectronics 功能描述:
STD16NF06LT4 功能描述:MOSFET N-Ch 60 Volt 16 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD16NF06T4 功能描述:MOSFET N Ch 60V 0.060 Ohm 16A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STD16NF25 功能描述:MOSFET N-Channel 250V Pwr Mosfet RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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