參數(shù)資料
型號(hào): STD100NH03LT4
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: N-CHANNEL 30V - 0.005 W - 60A DPAK STripFET⑩ III POWER MOSFET
中文描述: N溝道30V的- 0.005糯-第60A條的DPAK STripFET⑩三功率MOSFET
文件頁數(shù): 7/8頁
文件大?。?/td> 513K
代理商: STD100NH03LT4
7/11
STD100NH03L
DIM.
mm
inch
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
2.2
2.4
0.086
0.094
A1
0.9
1.1
0.035
0.043
A2
0.03
0.23
0.001
0.009
B
0.64
0.9
0.025
0.035
B2
5.2
5.4
0.204
0.212
C
0.45
0.6
0.017
0.023
C2
0.48
0.6
0.019
0.023
D
6
6.2
0.236
0.244
E
6.4
6.6
0.252
0.260
G
4.4
4.6
0.173
0.181
H
9.35
10.1
0.368
0.397
L2
0.8
0.031
L4
0.6
1
0.023
0.039
=
=
D
L2
L4
1
3
=
=
B
E
=
=
B
G
2
A
C
C
H
A
DETAIL "A"
A
DETAIL "A"
TO-252 (DPAK) MECHANICAL DATA
0068772-B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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STD16NF06L N-CHANNEL 60V - 0.060 - 24A DPAK/IPAK STripFET II POWER MOSFET
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參數(shù)描述
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STD10100CTR 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V DPAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 二極管配置:1 對(duì)共陰極 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io)(每二極管):- 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):750mV @ 5A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:120μA @ 100V 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STD10100TR 功能描述:DIODE SCHOTTKY 100V DPAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io):- 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):750mV @ 10A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:300μA @ 100V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:462pF @ 5V, 1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STD1010ET4 制造商:Motorola Inc 功能描述: 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
STD10150TR 功能描述:DIODE SCHOTTKY 150V DPAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):150V 電流 - 平均整流(Io):- 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 10A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:150μA @ 150V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1