參數(shù)資料
型號(hào)： STD100NH03LT4
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 30V - 0.005 W - 60A DPAK STripFET⑩ III POWER MOSFET
中文描述： N溝道30V的- 0.005糯-第60A條的DPAK STripFET⑩三功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 513K
代理商： STD100NH03LT4
3/11
STD100NH03L
SWITCHING ON
SWITCHING OFF
SOURCE DRAIN DIODE
.
.
(5)
Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5 %.
2
) Value limited by wire bonding
(6)
Q
C
*
V
C
C
C
See Appendix A
(3)
Pulse width limited by safe operating area.
(7)
Gate charge for synchronous operation
(
4
) Starting T
j
= 25
o
C, I
D
= 30A, V
DD
= 15V
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(on)
t
r
Turn-on Delay Time
Rise Time
V
DD
= 15 V
R
G
= 4.7
(Resistive Load, Figure 3)
I
D
= 30 A
V
GS
= 10 V
16
95
ns
ns
Q
g
Q
gs
Q
gd
Total Gate Charge Source
Gate Charge
Gate-Drain Charge
V
DD
= 15 V I
D
= 60 A V
GS
= 10 V
57
11.8
7.3
77
nC
nC
nC
Q
oss(6)
Output Charge
V
DS
= 16 V V
GS
= 0 V
27
nC
Q
gls(7)
Third-quadrant Gate Charge
V
DS
< 0 V V
GS
= 10 V
55
nC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
d(off)
t
f
Turn-off Delay Time
Fall Time
V
DD
= 15 V
R
G
= 4.7
,
(Resistive Load, Figure 3)
I
D
= 30 A
V
GS
= 10 V
48
23
ns
ns
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
SD
I
SDM
Source-drain Current
Source-drain Current (pulsed)
60
240
A
A
V
SD
(5)
Forward On Voltage
I
SD
= 30 A V
GS
= 0
1.4
V
t
rr
Q
rr
I
RRM
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Current
I
SD
= 60 A
V
DD
= 30 V
(see test circuit, Figure 5)
di/dt = 100A/μs
T
j
= 150°C
46
64
2.8
62
86
ns
nC
A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
Safe Operating Area
Thermal Impedance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STD12NF06L N-CHANNEL 60V - 0.08 ohm - 12A IPAK/DPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
STD16NF06L N-CHANNEL 60V - 0.060 - 24A DPAK/IPAK STripFET II POWER MOSFET
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STD16NF06LT4 N-CHANNEL 60V - 0.060 - 24A DPAK/IPAK STripFET II POWER MOSFET
STD17N05L N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR
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參數(shù)描述
STD-101 功能描述:電線鑒定 3/8IN WIRE MRKR TAG Refill 18-10awg RoHS:否 制造商:TE Connectivity / Q-Cees 產(chǎn)品:Labels and Signs 類型: 材料:Vinyl 顏色:Blue 寬度:0.625 in 長(zhǎng)度:1 in
STD10100CTR 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V DPAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 二極管配置:1 對(duì)共陰極 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:- 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:750mV @ 5A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:120μA @ 100V 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STD10100TR 功能描述:DIODE SCHOTTKY 100V DPAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:- 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:750mV @ 10A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:300μA @ 100V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:462pF @ 5V， 1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STD1010ET4 制造商:Motorola Inc 功能描述: 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
STD10150TR 功能描述:DIODE SCHOTTKY 150V DPAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 電流 - 平均整流（Io）:- 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 10A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:150μA @ 150V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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