參數(shù)資料
型號(hào)： STB8NC70ZT4
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 700V 0.90 OHM 6.8A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK ZENER-PROTECTED POWERMESH III MOSFET
中文描述： N溝道700V的0.90歐姆6.8A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK穩(wěn)壓保護(hù)POWERMESH三MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 5/13頁(yè)
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代理商： STB8NC70ZT4
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STP8NC70Z - STP8NC70ZFP - STB8NC70Z - STB8NC70Z-1
Normalized Gate Threshold Voltage vs Temp.
Normalized On Resistance vs Temperature
Gate Charge vs Gate-source Voltage
Capacitance Variations
Static Drain-source On Resistance
Transconductance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB8NC70Z-1 N-CHANNEL 700V - 0.90ohm - 6.8A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
STB9NK60ZFP N-CHANNEL 600V - 0.85ohm - 7A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
STB9NK70ZFP N-CHANNEL 700V - 1ohm - 7.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
STBR606 50-60Hz RECTIFICATION BRIDGE
STBR608 50-60Hz RECTIFICATION BRIDGE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STB8NM60 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 650V Tjmax-0.9ohm-8A TO-220/FP/D/IPAK/D2PAK STripFET II MOSFET
STB8NM60D 功能描述:MOSFET N Ch 600V 0.9Ohm 8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB8NM60N 功能描述:MOSFET N-ch 600 Volts 7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB8NM60T4 功能描述:MOSFET N-Ch 650 Volt 5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB8NS25 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 250V - 0.38ohm - 8A D2PAK MESH OVERLAY⑩ MOSFET
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