參數(shù)資料
型號(hào)： STB7NC80ZT4
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-CHANNEL 800V - 1.3 OHM - 6.5A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK ZENER-PROTECTED POWERMESH III MOSFET
中文描述： N溝道800V的- 1.3歐姆- 6.5A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK穩(wěn)壓保護(hù)POWERMESH三MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 6/13頁(yè)
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代理商： STB7NC80ZT4
STP7NC80Z - STP7NC80ZFP - STB7NC80Z - STB7NC80Z-1
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Source-drain Diode Forward Characteristics
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB7NC80Z-1 New Generation Twisted Paired Multiconductor Audio Cable; Number of Conductors:4; Conductor Size AWG:22; No. Strands x Strand Size:7 x 30; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC); Shielding Material:Aluminum Foil/Polyester Tape
STB80NE03L-06-1 Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-26482, Series I, Solder; Body Material:Aluminum; Series:PC01; No. of Contacts:6; Connector Shell Size:10; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Cable Receptacle; Body Style:Straight
STB80NE06-10T4 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB
STB80NE06-10 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET
STB8NC50 N-CHANNEL 500V - 0.7ohm - 8A D2PAK PowerMesh⑩II MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STB7NK80Z 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-Channel 800V 5.2A D2PAK
STB7NK80Z-1 功能描述:MOSFET N-Ch, 800V-1.5ohms Zener SuperMESH 5.2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB7NK80ZT4 功能描述:MOSFET N-Ch 800 Volt 5.2A Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB80N20M5 功能描述:MOSFET N-Ch 200V 0.019 61A Mdmesh V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB80N4F6AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:6 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:36nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2150pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK（TO-263） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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