參數資料
型號： STB22NS25Z
廠商： 意法半導體
英文描述： N-CHANNEL 250V - 0.13ohm - 22A TO-220/D2PAK Zener-Protected MESH OVERLAY⑩ MOSFET
中文描述： N溝道250V - 0.13ohm - 22A條TO-220/D2PAK齊保護的網格密胺⑩MOSFET的
文件頁數： 8/10頁
文件大小： 449K
代理商： STB22NS25Z
STP22NS25Z / STB22NS25Z
8/10
1
DIM.
mm.
inch
MIN.
TYP
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
4.4
4.6
0.173
0.181
A1
2.49
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0.106
A2
0.03
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0.009
B
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B2
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C
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C2
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D
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D1
8
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E1
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R
0.4
0.015
V2
0
o
8o
D
2
PAK MECHANICAL DATA
3
相關PDF資料
PDF描述
STP2HNC60 N-CHANNEL 600V - 4ohm - 2.2A TO-220/TO-220FP PowerMesh⑩II MOSFET
STP2HNC60FP N-CHANNEL 600V - 4ohm - 2.2A TO-220/TO-220FP PowerMesh⑩II MOSFET
STP2NA50 Supercapacitor; Capacitance:1F; Series:EDL; Voltage Rating:5.5VDC; Capacitor Dielectric Material:Carbon Aerogel Foam; Package/Case:Stacked Coin; Termination:Radial Leaded; ESR:30ohm; Lead Pitch:20mm; Operating Temp. Max:70 C RoHS Compliant: Yes
STP2NA50FI Supercapacitor; Capacitance:1.5F; Series:EDL; Voltage Rating:5.5VDC; Capacitor Dielectric Material:Carbon Aerogel Foam; Package/Case:Stacked Coin; Termination:Radial Leaded; ESR:30ohm; Lead Pitch:20mm; Operating Temp. Max:70 C RoHS Compliant: Yes
STP2NC60 N-CHANNEL 600V - 7ohm - 1.9A - TO-220/TO-220FP PowerMesh⑩II MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
STB22NS25Z_06 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 250V - 0.13Ω - 22A - TO-220 / D2PAK Zener-protected MESH OVERLAY? Power MOSFET
STB22NS25ZT4 功能描述:MOSFET N-Ch 250 Volt 22 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB230NH03L 功能描述:MOSFET 30V 80A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB23N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 16A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:16A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:280 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:33nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1000pF @ 100V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1
STB23NM50N 功能描述:MOSFET MDmesh II N-Ch 500V 17A ID <0.19 RDS(on) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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