參數(shù)資料
型號(hào)： STB19NB20
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N-Channel Enhancement Mode PowerMESHTM MOSFET(N溝道增強(qiáng)模式MOSFET)
中文描述： N溝道增強(qiáng)模式PowerMESHTM MOSFET的（不適用溝道增強(qiáng)模式MOSFET的）
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大小： 60K
代理商： STB19NB20
THERMAL DATA
R
thj-case
Thermal Resistance Junction-case
Max
1
o
C/W
o
C/W
o
C/W
o
C
R
thj-amb
R
thc-sink
T
l
Thermal Resistance Junction-ambient
Thermal Resistance Case-sink
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose
Max
Typ
62.5
0.5
300
AVALANCHE CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Max Value
Unit
I
AR
Avalanche Current, Repetitive or Not-Repetitive
(pulse width limited by T
j
max,
δ
< 1%)
Single Pulse Avalanche Energy
(starting T
j
= 25
o
C, I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
19
A
E
AS
200
mJ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unlessotherwise specified)
OFF
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
(BR)DSS
Drain-source
Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage
Drain Current (V
GS
= 0)
Gate-body Leakage
Current (V
DS
= 0)
I
D
= 250
μ
A
V
GS
= 0
200
V
I
DSS
V
DS
= Max Rating
V
DS
= Max Rating
T
c
= 125
o
C
1
10
μ
A
μ
A
nA
I
GSS
V
GS
=
±
30 V
±
100
ON (
)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
V
GS(th)
Gate Threshold
Voltage
Static Drain-source On
Resistance
On State Drain Current
V
DS
= V
GS
I
D
= 250
μ
A
3
4
5
V
R
DS(on)
V
GS
= 10V
I
D
= 9.5 A
0.150
0.180
I
D(on)
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
V
GS
= 10 V
19
A
DYNAMIC
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
g
fs
(
)
Forward
Transconductance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer
Capacitance
V
DS
> I
D(on)
x R
DS(on)max
I
D
=9.5 A
3
S
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
= 25 V
f = 1 MHz
V
GS
= 0
1000
285
45
1350
385
60
pF
pF
pF
STB19NB20
2/6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB22NE03L N - CHANNEL 30V - 0.034ohm - 22A TO-263 STripFET] POWER MOSFET
STB3NC60 N - CHANNEL 600V - 3.3ohm- 3A - D2PAK/I2PAK PowerMESHII MOSFET
STB40NE03L-20 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ” SINGLE FEATURE SIZE ” POWER MOSFET
STB4NB50 N-Channel 500V-2.5Ω-3.8A-D2PAK/I2PAK PowerMESH MOSFET(N溝道MOSFET)
STB4NB80FP N - CHANNEL 800V - 3ohm - 4A - TO-220/TO-220FP PowerMESHO MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STB19NB20-1 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 200V - 0.15ohm - 19A - TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMESH⑩ MOSFET
STB19NF20 功能描述:MOSFET 200V 0.15Ohm 15A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB19NM65N 功能描述:MOSFET N-Channel 650V 0.25 Ohms 15.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB19NM65NT4 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 650 V - 0.25 Ω - 15.5 A - TO-220/FP-D2/I2PAK-TO-247 second generation MDmesh? Power MOSFET
STB1GA14 制造商:n/a 功能描述:Ships in 2 days
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*