參數(shù)資料
型號(hào)： STB10NC50-1
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： CAP OXI NIOB 47UF 10V 20% SMD
中文描述： ? -頻道500V - 0.48ohm - 10A條- I2PAK/D2PAK PowerMESH] MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 4/7頁(yè)
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代理商： STB10NC50-1
Fig. 1:
UnclampedInductive Load TestCircuit
Fig. 3:
Switching Times Test Circuits For
ResistiveLoad
Fig. 2:
UnclampedInductive Waveform
Fig. 4:
Gate Chargetest Circuit
Fig. 5:
Test Circuit For InductiveLoad Switching
And Diode Recovery Times
STB10NC50 -1
4/7
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STB11NK50Z N-CHANNEL 500V - 0.48ohm - 10A TO-220/TO-220FP/D2PAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
STB120NF10 N-CHANNEL 100V - 0.009 W - 120A DPAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET
STP120NF10 N-CHANNEL 100V - 0.009 W - 120A DPAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET
STB120NH03L N-CHANNEL 30V - 0.005 W - 60A D2PAK STripFET III POWER MOSFET FOR DC-DC CONVERSION
STB120NH03LT4 N-CHANNEL 30V - 0.005 W - 60A D2PAK STripFET III POWER MOSFET FOR DC-DC CONVERSION
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STB10NK60Z 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 600V-0.65ohm-10A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
STB10NK60Z_06 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600V - 0.65Ω - 10A - I2/D2PAK - TO-220/FP - TO-247 Zener-protected SuperMESH? Power MOSFET
STB10NK60Z_08 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 650 V, 0.65 Ω, 10 A, SuperMESH? Power MOSFET Zener-protected I2PAK, D2PAK, TO-220, TO-220FP, TO-247
STB10NK60Z-1 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STB10NK60ZT4 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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