參數資料
型號: ST183C08CFN0P
廠商: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
元件分類: 晶閘管
英文描述: 690 A, 800 V, SCR, TO-200AB
封裝: ROHS COMPLIANT, METAL, APUK-2
文件頁數: 7/9頁
文件大小: 129K
代理商: ST183C08CFN0P
Document Number: 94368
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Revision: 30-Apr-08
7
ST183CPbF Series
Inverter Grade Thyristors
(Hockey PUK Version), 370 A
Vishay High Power Products
Fig. 15 - Frequency Characteristics
Fig. 16 - Maximum On-State Energy Power Loss Characteristics
Fig. 17 - Gate Characteristics
10
100
1000
10 000
100
1000
10 000
Pulse Basewidth (s)
Peak
On-State
Current
(A)
3000
ST183C..C Series
Trapezoidal pulse
T
C = 40 °C
dI/dt = 100 A/s
t
p
Snubber circuit
R
s = 47 Ω
C
s = 0.22 F
V
D = 80 % VDRM
10 000
2500
1500
1000 500
400 200 100
50 Hz
5000
10
100
1000
10 000
100
1000
10 000
Pulse Basewidth (s)
Peak
On-State
Current
(A)
3000
ST183C..C Series
Trapezoidal pulse
T
C = 55 °C
dI/dt = 100 A/s
t
p
Snubber circuit
R
s = 47 Ω
C
s = 0.22 F
V
D = 80 % VDRM
10 000
5000
2500
1500
1000
500
400 200
100
50 Hz
Pulse Basewidth (s)
20 joules per pulse
0.5
0.3
0.2
Peak
On-State
Current
(A)
10
100
1000
10 000
10
100
1000
10 000
t
p
ST183C..C Series
Sinusoidal pulse
0.1
2
100 000
1
4
10
Pulse Basewidth (s)
Peak
On-State
Current
(A)
10
100
1000
10 000
10
100
1000
10 000
100 000
0.1
0.2
0.5
2
1
4
10
20 joules per pulse
t
p
ST183C..C Series
Rectangular pulse
dI/dt = 50 A/s
0.3
0.1
1
10
100
0.001
Instantaneous Gate Current (A)
Instantaneous
Gate
Voltage
(V)
0.01
0.1
1
10
100
(b)
V
GD
I
GD
(1)
(2)
(3)
Device: ST183C..C Series
(4)
Frequency limited by P
G(AV)
(1) P
GM = 10 W, tp = 20 ms
(2) P
GM = 20 W, tp = 10 ms
(3) P
GM = 40 W, tp = 5 ms
(4) P
GM = 60 W, tp = 3.3 ms
Rectangular gate pulse
a) Recommended load line for
rated dI/dt: 20 V, 10
Ω; t
r ≤ 1 s
b) Recommended load line for
≤ 30 % rated dI/dt: 10 V, 10 Ω
t
r ≤ 1 s
(a)
T
J =
40
°C
T
J =
25
°C
T
J =
125
°C
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PDF描述
ST183C08CFN1LP 690 A, 800 V, SCR, TO-200AB
ST183C08CFN1P 690 A, 800 V, SCR, TO-200AB
ST183C08CFN2P 690 A, 800 V, SCR, TO-200AB
ST183C08CFN3LP 690 A, 800 V, SCR, TO-200AB
ST183C08CFN3P 690 A, 800 V, SCR, TO-200AB
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